全球知名半導體制造商ROHM開發(fā)出滿足家電產(chǎn)品和工業(yè)設備等的小容量電機低功耗化需求的高效MOS-IPM(Intelligent Power Module)“BM65364S-VA/-VC(額定電流15A、耐壓600V)”，產(chǎn)品陣容更加豐富。
此次開發(fā)的產(chǎn)品搭載了ROHM生產(chǎn)的低導通電阻MOSFET“PrestoMOSTM※ ”，而且還利用了ROHM獨有的LSI控制技術，使在低電流范圍的損耗比以往的IGBT-IPM降低約43%。通過實現(xiàn)業(yè)界頂級的低功耗化，不僅有助于應用實現(xiàn)進一步節(jié)能化，還能通過IPM產(chǎn)品的解決方案降低設計負擔。
本產(chǎn)品已經(jīng)開始出售樣品，預計于2015年8月份開始以月產(chǎn)3萬片的規(guī)模投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM濱松株式會社(靜岡縣)、ROHM Apollo Co., Ltd.(福岡縣)、ROHM Wako Co., Ltd.(岡山縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)。
※PrestoMOSTM是ROHM的注冊商標。
<背景>
近年來，節(jié)能化趨勢日益加速，在這個大背景下，隨著日本節(jié)能法的修訂，家電產(chǎn)品傾向于采用更接近實際使用情況的能效標識APF(Annual Performance Factor)，不再僅僅關注功率負載較大的設備啟動時和額定條件下的節(jié)能，要求負載較小的正常運轉(zhuǎn)時更節(jié)能的趨勢日益高漲。
而為了減輕這種節(jié)能家電的設計負擔，較標準的做法是采用將建構(gòu)系統(tǒng)所需的功率元器件和控制IC等集成于單芯片化的IPM。
<新產(chǎn)品詳情>
此次ROHM通過采用以往的MOSFET很難實現(xiàn)的可支持更大電流的自產(chǎn)PrestoMOSTM，大大降低導通損耗，實現(xiàn)了IPM的產(chǎn)品化。不僅如此，還通過融合ROHM獨家擁有的柵極驅(qū)動器電路技術，使在低電流范圍的損耗相比IGBT-IPM降低約43%。業(yè)界頂級的低功耗，非常有助于應用整體實現(xiàn)進一步節(jié)能。
另外，還通過ROHM獨有的電路與封裝技術，確立了構(gòu)建變頻器所需的各種元器件的綜合可靠性，實現(xiàn)IPM化，還有助于減輕系統(tǒng)的設計負擔。
因為所搭載的芯片全部為ROHM的生產(chǎn)，因此不僅可以提供高品質(zhì)的產(chǎn)品，還沒有供貨方面的擔憂，客戶可安心使用。
<特點>
1.采用可支持大電流的PrestoMOSTM，實現(xiàn)節(jié)能
現(xiàn)在，以家庭內(nèi)功耗比率較高的空調(diào)變頻器為首，需要支持大電流的設備中一般都會使用IGBT-IPM，但旨在使設備實現(xiàn)更高效率的努力從未停止。
一般MOSFET具有在高速開關條件下和低電流范圍內(nèi)的導通損耗較低的優(yōu)勢，具有降低設備正常運轉(zhuǎn)時的功耗的效果。通過開發(fā)出可支持大電流的MOS-IPM，可使設備正常運轉(zhuǎn)時更加節(jié)能。
2.通過搭載使用了ROHM獨有的電路技術的柵極
驅(qū)動器LSI，實現(xiàn)高效化
采用PrestoMOSTM，并利用ROHM獨創(chuàng)的柵極驅(qū)動器電路技術，通過導入ROHM獨有的柵極驅(qū)動電路，實現(xiàn)了IPM產(chǎn)品進一步的高效化。例如，通過導入防止高電壓條件下高速開關動作容易產(chǎn)生的MOSFET誤動作的電路，實現(xiàn)高速開關動作，并且可以降低開關損耗。而且，考慮到開關時產(chǎn)生的噪音，還優(yōu)化了開關損耗和噪音的平衡關系，使可最大限度充分發(fā)揮PrestoMOSTM性能的柵極驅(qū)動成為現(xiàn)實。
3.通過 IPM化，減輕高效系統(tǒng)的設計負擔
采用ROHM獨創(chuàng)的高散熱封裝技術將構(gòu)建變頻器系統(tǒng)所需的柵極驅(qū)動器和組成變頻器部分的MOSFET一體化封裝。
另外，本產(chǎn)品在優(yōu)化了功率元器件驅(qū)動的同時，為使客戶安心使用，還搭載了各種重要的保護功能，從而可減輕客戶的設計負擔。
<術語解說>
・IPM(Intelligent Power Module)
將功率元器件以及具有控制它們的功能的元器件(IC等)模塊化的產(chǎn)品。
・PrestoMOSTM
低導通電阻、低Qg、實現(xiàn)內(nèi)部二極管的高速trr的ROHM生產(chǎn)的 MOSFET系列產(chǎn)品之一。
・IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistors)
與MOSFET一樣，是通過向柵極施加電壓進行控制的元器件，也是利用雙極晶體管的高耐壓、低導通電阻特點的元器件。
・APF(Annual Performance Factor)
全年使用家用空調(diào)時的能效比。數(shù)值越大節(jié)能性能越好。
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