Diodes DFN2020封裝P通道MOSFET 降低負(fù)載開(kāi)關(guān)損耗

21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設(shè)計(jì)小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝，分別提供12V和20V的額定值。新產(chǎn)品適用于追求高效電池管理的平板電腦、智能手機(jī)、超極本等便攜式消費(fèi)性電子產(chǎn)品的負(fù)載開(kāi)關(guān)，以及物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用。

開(kāi)關(guān)損耗" />

兩款MOSFET在低柵極驅(qū)動(dòng)情況下提供低導(dǎo)通電阻，有效滿足那些希望用簡(jiǎn)易的方法關(guān)閉低壓電源軌的電路設(shè)計(jì)人員。這還確保低至1.5V的電源軌能夠以最低通損耗進(jìn)行開(kāi)關(guān)。DMP1022UFDF在-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的導(dǎo)通電阻少于20mΩ;DMP2021UFDF在-1.8V柵極驅(qū)動(dòng)下的導(dǎo)通電阻則少于26mΩ。以MOSFET作為高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)來(lái)關(guān)斷閑置處理器核心和其它非活躍電路，能有效延長(zhǎng)電池壽命。

新產(chǎn)品采用了占位面積僅4mm2的小型DFN2020封裝，離板高度只有0.6mm，同樣非常適合對(duì)空間要求嚴(yán)格的應(yīng)用。這款封裝還具有帶散熱漏極焊盤，其低于10°C/W的結(jié)點(diǎn)至焊盤熱阻提供散熱功能，從而降低裸片溫度并提升器件可靠性。

DMP1022UFDF及DMP2021UFDF各以一萬(wàn)個(gè)為出貨批量。