EPC eGaN®技術在性能及成本上實現(xiàn)質(zhì)的飛躍

全球增強型氮化鎵晶體管領袖廠商、致力于開發(fā)創(chuàng)新的硅基功率場效應晶體管(eGaN FET)及集成電路的宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7 mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)晶體管，在提升產(chǎn)品性能之同時也可以降低成本。而EPC2046(25 mΩ、200 V)比等效MOSFET小型化12倍!

100 V的EPC2045應用于開放式伺服器架構以實現(xiàn)48 V至負載的單級電源轉(zhuǎn)換、負載點(POL)轉(zhuǎn)換器、USB-C及激光雷達(LiDAR)等應用。200 V 的EPC2046/EPC2047可應用于無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器。

100 V、7 mΩ的EPC2045在性能/成本上繼續(xù)擴大與等效硅基功率MOSFET的績效差距。與前一代EPC2001C eGaN FET相比， EPC2045及EPC2047的芯片尺寸減半。

設計師現(xiàn)在可以同時實現(xiàn)更小型化和性能更高的器件! eGaN產(chǎn)品采用芯片級封裝，比MOSFET使用塑膠封裝可以更有效地散熱，這是由于使用芯片級封裝的器件可以直接把熱量傳遞至環(huán)境，而MOSFET芯片的熱量則聚集在塑膠封裝內(nèi)。

EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow博士稱：「我們非常高興利用創(chuàng)新的氮化鎵技術，開發(fā)出這些正在改變半導體行業(yè)發(fā)展的氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)?！笰lex繼續(xù)說道:「面向目前采用MOSFET技術的各種應用，這些全新eGaN產(chǎn)品展示出EPC及其氮化鎵晶體管技術如何提升產(chǎn)品的性能之同時能夠降價。此外，我們將繼續(xù)發(fā)展氮化鎵技術以推動全新硅基器件所不能夠支持的最終用戶應用的出現(xiàn)。這些全新晶體管也印證了氮化鎵與MOSFET技術在性能及成本方面的績效差距正在逐漸擴大?！?/p>

此外，我們也為工程師提供3塊開發(fā)板以幫助工程師易于對EPC2045及EPC2047的性能進行評估，包括內(nèi)含100 V的EPC2045晶體管的開發(fā)板(EPC9078及EPC9080)和內(nèi)含200 V的EPC2047的開發(fā)板(EPC9081)。

eGaN產(chǎn)品的發(fā)展進入“良性循環(huán)”(virtuous cycle)的軌度

氮化鎵工藝所具備的優(yōu)勢是氮化鎵器件比等效硅基器件具備低很多的電容，因此可以在更高頻、相同的阻抗及額定電壓下，實現(xiàn)更低的柵極驅(qū)動損耗及更低的開關損耗。與最好的等效MOSFET相比，EPC2045工作在48 V–5 V電源轉(zhuǎn)換、500 kHz開關頻率時，功耗降低30%及效率提升2.5%。

與硅基MOSFET相反的是，eGaN FET雖然小型很多，但它的開關性能更高，代表eGaN產(chǎn)品的前景是該技術進入“良性循環(huán)”的軌度，預期氮化鎵器件將會繼續(xù)小型化而其性能可以更高。

我們看到這些全新產(chǎn)品在性能、尺寸及成本上的改進是由于利用了創(chuàng)新的方法，當擊穿時在漏極區(qū)域減弱電場并且同時大大減少陷阱，使之所俘獲的電子減少。