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[導(dǎo)讀]摘要:在IGBT的使用過(guò)程中,驅(qū)動(dòng)電路選擇的合理性和設(shè)計(jì)是否正確是影響其推廣使用的問(wèn)題之一。IGBT的通態(tài)電壓、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt等參數(shù)均與門(mén)極驅(qū)動(dòng)條件密切相關(guān)。因此,設(shè)計(jì)合理、性能優(yōu)越

摘要:在IGBT的使用過(guò)程中,驅(qū)動(dòng)電路選擇的合理性和設(shè)計(jì)是否正確是影響其推廣使用的問(wèn)題之一。IGBT的通態(tài)電壓、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt等參數(shù)均與門(mén)極驅(qū)動(dòng)條件密切相關(guān)。因此,設(shè)計(jì)合理、性能優(yōu)越的驅(qū)動(dòng)電路是高頻電源模塊運(yùn)行可靠的保證。本文介紹了驅(qū)動(dòng)器M57962AL的特點(diǎn)以及選用該驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)的IGBT驅(qū)動(dòng)電路。 敘詞:高頻 驅(qū)動(dòng) 設(shè)計(jì) M57962AL Abstract: One of the factors that will affect the wide use of IGBT is whether the choice of the drive circuit is rational and whether its design is right. On-state voltage, on-off timing, switch loss, ability to endure short circuit and dv/dt parameters of IGBT are all closely related to the gate drive condition. Therefore, designing a rational and good-quality drive circuit will guarantee the function of high-frequency power module. This article explains the features of drive M57962AL and presents the IGBT drive circuit using this drive. Keyword:High frequency, Drive, Design, M57962AL
    1、驅(qū)動(dòng)電路的基本要求

    一個(gè)理想的IGBT驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有以下基本性能:

  (1)動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng),能為IGBT柵極提供具有陡峭前后沿的驅(qū)動(dòng)電壓脈沖;
    (2)IGBT導(dǎo)通后,柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓和電流要有足夠的幅度,使IGBT的功率輸出級(jí)總處于飽和狀態(tài),瞬時(shí)過(guò)載時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)而損壞;
    (3)能向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?,一般?15V為宜;
    (4)能向IGBT提供足夠的反向柵壓,利于IGBT的快速關(guān)斷,幅值一般為5V-15V;
    (5)由于IGBT多用于高壓場(chǎng)合,驅(qū)動(dòng)電路必需有足夠的輸入輸出電隔離能力且不影響驅(qū)動(dòng)信號(hào)的正常傳輸;
    (6)具有柵壓限幅電路,保護(hù)柵極不被擊穿;
    (7)輸入輸出信號(hào)傳輸具有盡可能短的延時(shí);
    (8)當(dāng)IGBT負(fù)載短路或過(guò)流時(shí),能在IGBT允許時(shí)間內(nèi)通過(guò)逐漸降低柵壓自動(dòng)抑制故障電流,實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷;
    (9)當(dāng)出現(xiàn)過(guò)流、短路等情況時(shí)能迅速發(fā)出過(guò)流保護(hù)信號(hào)供給控制電路進(jìn)行處理。

    2、驅(qū)動(dòng)器的選擇

    目前,市場(chǎng)上常見(jiàn)的驅(qū)動(dòng)器有日本富士EXB系列、日本英達(dá)HR系列、日本三菱M579系列及美國(guó)Unitrode公司的UC系列,它們功能大致相同,但也有許多不同之處。目前國(guó)內(nèi)流行使用的EXB841不具備定時(shí)邏輯柵壓控制的功能,過(guò)流時(shí)若驅(qū)動(dòng)器入口信號(hào)消失,則其出口信號(hào)隨之消失而損壞IGBT,且關(guān)斷負(fù)壓-5V不夠可靠。

    HR065的短路保護(hù)穩(wěn)定,但可靠性差。經(jīng)過(guò)對(duì)比分析,我們選用日本三菱公司的M57962AL驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器具有如下特點(diǎn):

  (1)采用高速光偶隔離,輸入輸出隔離絕緣強(qiáng)度高 ;
    (2)輸入輸出電平與TTL電平兼容,適于單片機(jī)控制;   
    (3)內(nèi)部有定時(shí)邏輯短路保護(hù)電路,同時(shí)具有廷時(shí)保護(hù)特性;   
    (4)具有可靠通斷措施(采用雙電源供電);   
    (5)驅(qū)動(dòng)功率大,可以驅(qū)動(dòng)600A/600V或400A/1200V的IGBT模塊。

    M57962AL是厚模單列直插式封裝,如圖1所示,是從左至右依次編號(hào),其中9~12為空端。各引腳功能如下:
    1端和2端:故障檢測(cè)輸入端;
    4端:接正電源VCC ;
    5端:驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端 ;    
    6端:接負(fù)電源VEE ;
    8端:故障信號(hào)輸出 ;
    13端和14端:驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端。


圖1  M57962AL芯片的外觀尺寸圖[!--empirenews.page--]

    M57962AL芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及內(nèi)部保護(hù)電路如圖2和圖3所示。

圖2  M57962AL芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

圖3  M57962AL的內(nèi)部保護(hù)電路圖

    3、 驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)現(xiàn)

    IGBT的驅(qū)動(dòng)電路原理圖如圖4所示。

圖4  IGBT的驅(qū)動(dòng)電路原理圖

    圖中Q1為由控制電路產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入,fault為本驅(qū)動(dòng)電路在檢測(cè)到過(guò)流等故障時(shí)發(fā)出的故障檢測(cè)信號(hào)。C1、G1、E1分別接IGBT的源、柵、漏級(jí)。驅(qū)動(dòng)電路的供電采用單電源加穩(wěn)壓管方式,主要考慮了以下幾個(gè)方面的問(wèn)題。

    (1) 穩(wěn)壓管D的合理選擇

    驅(qū)動(dòng)器M57962AL通過(guò)檢測(cè)IGBT的通態(tài)飽和壓降(即1腳的電壓U1)來(lái)判斷是否過(guò)流,當(dāng)檢測(cè)出IGBT的柵極和源極同為高電平時(shí)就判斷為過(guò)流,此時(shí)降低柵極驅(qū)動(dòng)電壓。并通過(guò)光耦向控制電路發(fā)出故障信號(hào)。IGBT正常工作時(shí)的通態(tài)壓降一般為2.5V~3.0V。而M57962AL的過(guò)流檢測(cè)端的閥值電壓Ucs設(shè)計(jì)為10V。如此高的閥值電壓對(duì)諸如橋臂直通、負(fù)載短路等情況有一定的保護(hù)作用。但動(dòng)作非常遲緩,甚至起不到保護(hù)作用。因此必須降低過(guò)流保護(hù)閥值,方法是在檢測(cè)端串聯(lián)一穩(wěn)壓管D2,通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)確定穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值。它們之間滿足如下關(guān)系:

                

    當(dāng)芯片1腳的電壓U1達(dá)到過(guò)流檢測(cè)端的閥值電壓UCS,M57962AL軟降柵壓,同時(shí)發(fā)出故障信號(hào)。VD2選取越大則允許的VCE越小,IGBT允許流過(guò)的電流值亦越小。在本課題研究中,設(shè)定的管壓保護(hù)值為4.2V,對(duì)應(yīng)的保護(hù)電流值為300A,所以采用的穩(wěn)壓管D2的壓降為

         

    (2)VCC、VEE的選取[!--empirenews.page--]

    由于IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加正向柵壓有關(guān),在漏源電流一定的情況下,正向柵壓增加時(shí),通態(tài)壓降下降,器件導(dǎo)通損耗減小。但若發(fā)生過(guò)流或短路,正向柵壓越高,則電流幅值越高,IGBT越易損壞。對(duì)集電極額定電流200A的IGBT來(lái)說(shuō),VCC選擇+12V~+15V比較合適,在這一點(diǎn)通態(tài)接近飽和值,是IGBT工作的最佳點(diǎn)。而為使IGBT在關(guān)斷期間可靠截止,給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT外加-10V左右的反向柵壓VEE比較合適。實(shí)現(xiàn)電路中考慮到簡(jiǎn)化輔助電源設(shè)計(jì)的因素,采用24V單電源外加9.1V穩(wěn)壓管的方式為驅(qū)動(dòng)電路供電。即:VCC=+15V,VEE=-9V。

    (3)柵極電阻Rg的選取

    柵極驅(qū)動(dòng)電阻的取值非常重要,適當(dāng)數(shù)值的柵極電阻能有效地抑制振蕩、減緩開(kāi)關(guān)開(kāi)通時(shí)間、改善電流上沖波形、減小電壓浪涌。從安全可靠性角度來(lái)說(shuō),應(yīng)當(dāng)取較大的柵電阻,但是,較大的柵電阻影響開(kāi)關(guān)速度、增加開(kāi)關(guān)損耗。從提高工作頻率角度,應(yīng)當(dāng)取較小的柵電阻。一般情況下,可靠性是第一位的,因此使用中傾向于取較大值的電阻。柵極電阻的最佳值應(yīng)當(dāng)通過(guò)實(shí)驗(yàn)確定。本文中經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)調(diào)試,選擇Rg=4.7Ω。

    (4)電容Ctrip的選取

    M57962AL與M57962L的不同之處就在于,M57962AL利用改變引腳2,4之間的電容Ctrip可以對(duì)短路保護(hù)檢測(cè)時(shí)間進(jìn)行調(diào)整,應(yīng)用比較靈活。若2腳懸空,短路保護(hù)檢測(cè)時(shí)間為2.6μs,保護(hù)動(dòng)作太靈敏常容易引起誤動(dòng)作。為此,通過(guò)接在2,4腳之間一個(gè)電容Ctrip來(lái)調(diào)節(jié)保護(hù)時(shí)間,選取1000pF左右的電容,保護(hù)時(shí)間大約為3μs。若保護(hù)仍然過(guò)于敏感,可改用3300pF的電容,此時(shí)保護(hù)時(shí)間約為6μs。

    此外,對(duì)于M57962AL驅(qū)動(dòng)電路,在以下兩種情況容易導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路失去負(fù)偏壓:一是產(chǎn)生負(fù)偏壓的穩(wěn)壓二極管D2被擊穿短路;二是驅(qū)動(dòng)電路在單電源供電時(shí),因失去電源供電電壓的時(shí)候。此時(shí)若按傳統(tǒng)的M57962AL單電源供電的典型接法(如圖5),并沒(méi)有保護(hù)信號(hào)給出,易造成IGBT的損壞。

圖5  M57962AL的典型接法

    針對(duì)上述情況,對(duì)M57962AL的外圍電路進(jìn)行了一些改進(jìn)(如圖4所示)。在正常情況下,D4導(dǎo)通,M57962AL的8腳為高電平,D1截止,VT導(dǎo)通,光耦輸出呈低阻態(tài),故障信號(hào)為低電平,表現(xiàn)為無(wú)故障。過(guò)流保護(hù)時(shí),D4導(dǎo)通,M57962AL的8腳為低電平,D1導(dǎo)通,VT截止,光耦輸出呈高阻態(tài),故障信號(hào)為高電平,表現(xiàn)為有故障發(fā)生。如果穩(wěn)壓二極管D2擊穿短路,則D4截止,VT截止,光耦輸出呈高阻態(tài),同樣給出故障信號(hào)。如果驅(qū)動(dòng)電路失去+24V電壓,則光耦無(wú)電流流過(guò),仍然表現(xiàn)為故障保護(hù)。這樣就避免了IGBT因?yàn)槭ヘ?fù)偏壓或者失去供電而導(dǎo)致?lián)p壞。另外這里為了加快對(duì)故障信號(hào)的反應(yīng),故障保護(hù)輸出光耦選用高速光耦6N137。

    4  結(jié)語(yǔ)

    性能優(yōu)越的驅(qū)動(dòng)電路是高頻電源模塊運(yùn)行可靠的保證。采用驅(qū)動(dòng)器M57962AL實(shí)現(xiàn)IGBT的驅(qū)動(dòng)電路,可以使IGBT工作可靠,性能穩(wěn)定。

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