如何實(shí)現(xiàn)正激式同步整流拓樸結(jié)構(gòu)

1 概述

利用 現(xiàn) 代 電力電子技術(shù)，控制功率變換裝置中功率開關(guān)晶體管導(dǎo)通和關(guān)斷的時(shí)間比率，實(shí)現(xiàn)輸入和輸出形態(tài)轉(zhuǎn)變的電路模式都稱為開關(guān)型變換器電路。DC-DC變換器是開關(guān)電源的核心組成部份，常用的正激式和反激式電路拓樸。因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、輸入和輸出電氣隔離、使用元器件較少等優(yōu)點(diǎn)，在中小功率電源中廣泛應(yīng)用。正激式變換器與反激式相比，變壓器銅損較低，副邊紋波電壓和電流的衰減顯著，因此，更適用在低壓，大電流的場(chǎng)合下應(yīng)用。常規(guī) 正 激 式變換器的功率處理電路只有一級(jí)，存在MOSFET功率開關(guān)電壓應(yīng)力大，特別是當(dāng)二次側(cè)采用自偏置同步整流方式，輸入電壓變化范圍較寬，如輸入電壓為75V時(shí)，存在柵極偏置電壓過高，甚至有可能因柵壓太高而損壞同步整流MOSFET的危險(xiǎn)。而且當(dāng)輸出電流較大時(shí)，輸出電感上的損耗將大大增加，嚴(yán)重地影響了效率的提升。使用交叉級(jí)聯(lián)正激式同步整流變換電路，不但輸出濾波電感線圈可省去，實(shí)現(xiàn)高效率、高可靠DC-DC變換器，達(dá)到最佳同步整流效果。

2 基本技術(shù)

2.1交叉級(jí)聯(lián)正激變換原理

交叉 級(jí) 聯(lián) 變換的拓樸如圖1所示，前級(jí)用于穩(wěn)壓，后級(jí)用于隔離的兩級(jí)交叉級(jí)聯(lián)的正激變換器組成的同步降壓變換器。為了實(shí)現(xiàn)寬輸入電壓范圍及隔離級(jí)恒定的電壓輸入，前后兩級(jí)正激變換都應(yīng)在最佳的目標(biāo)下工作，從而確保由它所組成的高效率同步降壓變換器能接收整個(gè)35-75V通信用輸入電壓范圍，并將它變換為嚴(yán)格調(diào)整的中間25V總線電壓。

實(shí)際 中 間 總線電壓由隔離級(jí)的需要預(yù)置，取決于隔離級(jí)的變比。中間電壓較高時(shí)，可以采用較小的降壓電感值和較低的電感電流，因而損耗也少。整個(gè)降壓級(jí)的占空比保持在30^'60%，可協(xié)助平衡前后兩級(jí)正激變換的損耗。為使性能最佳，并使開關(guān)損耗降至
最小，開關(guān)頻率的典型值為240k-300kHz;由于使用低通態(tài)電阻(RDS(on))的MOSFET，導(dǎo)通損耗比較小。傳統(tǒng)的單級(jí)變換器主開關(guān)必需使用至少200V以上的MOSFET，其RDS(on)等參數(shù)顯著增加，必然意味著損耗增加，效率下降。交叉級(jí)聯(lián)正激變換拓?fù)涞暮?jiǎn)化原理圖如圖2所示。

2.2同步整流技術(shù)

眾所 周 知 ，普通二極管的正向壓降為1V，肖特基二極管的正向壓降為0.5V，采用普通二極管和肖特基二極管作整流元件，大電流情況下，整流元件自身的功耗非?？捎^。相比之下，如果采用功率MOSFET作整流元件，則當(dāng)MOSFET的柵源極施加的驅(qū)動(dòng)電壓超過其閩值電壓，MOSFET即進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，無(wú)論從漏極到源極或從源極到漏極，均可傳導(dǎo)電流。導(dǎo)通電流在MOSFET上產(chǎn)生的壓降僅與MOSFET的溝道電阻成比例關(guān)系，n個(gè)MOSFET并聯(lián)時(shí)，壓降可降為單個(gè)MOSFET的1/ n。因此，理論上由整流元件壓降產(chǎn)生的損耗可人為的降到最小。同步整流(Synchronous）

Rectify，縮寫為SR)正是利用MOSFET等有源器件的這種特性進(jìn)行整流的一項(xiàng)技術(shù)。采用 功 率 MOSFET實(shí)施SR的主要損耗為:

導(dǎo)通損耗：

開通損耗：

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關(guān)斷損耗：

驅(qū)動(dòng)損耗：

 

式中 I 為 正向電流有效值，RDS(on)為通態(tài)電阻，fS為開關(guān)頻率，CGSS為輸入電容，Coss為輸出電容，D為占空比。

可見 ， 正 向?qū)〒p耗與RDS(on)成正比。不同VDS的MOSFET, RDS(on)往往可相差幾個(gè)數(shù)量級(jí)，所以相同電路拓?fù)渲胁捎?00V MOSFET的損耗比采用200VMOSFET明顯要低。考慮到低VDS的MOSFET比高VDS MOSFET的Coss要小，據(jù)關(guān)斷損耗式，表明低VDSMOSFET的關(guān)斷損耗也小。驅(qū)動(dòng)損耗式為開關(guān)過程中輸入電容充放電引起的損耗，該損耗與柵一源驅(qū)動(dòng)電壓的平方成正比。由于采用了兩級(jí)變換器，對(duì)隔離級(jí)來(lái)說(shuō)，因穩(wěn)壓級(jí)己經(jīng)將較寬的輸入電壓穩(wěn)在固定的中間總線電壓上，變壓器的變比可以達(dá)到最佳。MOSFET的正向通態(tài)電阻RDS(on)以及輸入電容是固定的，驅(qū)動(dòng)損耗只與驅(qū)動(dòng)電壓的平方成正比關(guān)系。總之，采用兩級(jí)變換器可使正向?qū)〒p耗，驅(qū)動(dòng)損耗等減到最小程度。

此外 ， 交 叉級(jí)聯(lián)正激變換電路拓?fù)渲?，輸出?jí)同步整流MOSFET所需電壓僅為輸出電壓的兩倍，再加上1.2倍的保險(xiǎn)系數(shù)，器件的耐壓只是輸出電壓的2.倍，遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)單級(jí)變換器解決方案需要達(dá)到輸出電壓4-10倍的要求。這樣采用交叉級(jí)聯(lián)正激變換電路拓?fù)涞膬杉?jí)變換器，便可使用低壓、低RDS(on，的 MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)極低的輸出級(jí)導(dǎo)通損耗。兩級(jí)變換器還采用了并聯(lián)MOSFET的輸出，得到更低的RDS(on)以及更低的損耗。在系統(tǒng)整體設(shè)計(jì)的時(shí)候，只要元件熱分布合理，裝置的使用壽命和可靠性必將有極大提高。

2.3電流前饋技術(shù)

由圖 2可 見，交叉級(jí)聯(lián)正激變換電路拓?fù)涞亩蝹?cè)沒有輸出濾波電感線圈，單級(jí)式變換器則必須有輸出濾波電感線圈。單級(jí)變換器設(shè)計(jì)時(shí)必須兼顧輸出濾波電感中電流的斷續(xù)模式(DCM)和連續(xù)模式(CCM),電感值的選定不但理論計(jì)算復(fù)雜，而且需要實(shí)驗(yàn)校驗(yàn)。

交叉級(jí)聯(lián)正激變換電路拓?fù)渲械母綦x級(jí)采用電流前饋技術(shù)，輸出濾波電感不需要流過全部輸出電流。特別是對(duì)低壓大電流輸出而言，輸出級(jí)不會(huì)因輸出電流的增加而發(fā)生難以預(yù)料的變化，這是該電路拓樸的主要優(yōu)點(diǎn)。因此，當(dāng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)需按比例變化，特別是按輸出電壓及輸出電流變化時(shí)由于輸出電流的變化在一次側(cè)隔離級(jí)的輸入電流中已有反映，亦即所謂電流前饋，這樣濾波電感線圈的損耗大大降低，從而也提高了變換器的效率。

3 設(shè)計(jì)實(shí)例和實(shí)驗(yàn)結(jié)果

應(yīng)用 上 述 設(shè)計(jì)思路，我們?cè)O(shè)計(jì)了一臺(tái)用于通信設(shè)備的DC -DC半磚電源。具體技術(shù)指標(biāo)如下:輸入 電壓 DC3 5-75V:輸出電壓DC3 .3V/30A;輸出功率100W;效率92% (TYPICA );電壓調(diào)整率士0.1%;負(fù)載調(diào)整率士0.1%;隔離電壓1 500V,,5;保護(hù)要求是過壓、過流、過溫等。
 

圖 3所 示 為采用交叉級(jí)聯(lián)正激變換電路設(shè)計(jì)的通信設(shè)備專用DC-DC半磚電源原理圖。工作原理如下，R,, R2. D,, Q,, D:和C:組成自舉啟動(dòng)電路，得到啟動(dòng)電壓Vc分別給ICI,I C2和IC3供電。電路啟動(dòng)后，T,的輔助繞組經(jīng)D3整流，C3平滑濾波后為IC提供電壓VD，因VD電壓高于Vc，二極管D2反偏，Q、的供電關(guān)閉，達(dá)到啟動(dòng)電路無(wú)功耗的目的。IC:的腳6輸出方波信號(hào)，一路直接送到ICl的腳5，另一路經(jīng)Q2倒相后送到IC:的腳6作為IC,的輸入信號(hào)。IC，的腳3 和腳8輸出相位相差180“的方波脈沖信號(hào)，分別驅(qū)動(dòng)MOSFETQ 31 Q 4- Q 3" Q 4" L 2等組成高效率的同步降壓級(jí)，降壓級(jí)的占空比保持在30-60%. IC3.Qs"Q6"T.等組成交叉級(jí)聯(lián)正激式隔離級(jí)，達(dá)到DC-DC最終的輸出電壓。馬、DS為變壓器T，的磁復(fù)位繞組。由于降壓級(jí)已將變化范圍較寬的輸入電壓嚴(yán)密調(diào)整為中間總線電壓，因此隔離級(jí)不需調(diào)壓。交叉級(jí)聯(lián)正激變換器都工作在50%的占空比，可以采用VDS為100V的MOSFET. Q7, Q:等組成自偏置式同步整流電路。

因隔離級(jí)的輸出電壓是固定的，所以同步整流MOSFET漏極的輸入電壓也是固定的，占空比也為50%，可以使用 VDS很低的MOSFET(本例中采用的是VDS為12V的MOSFET，損耗最低)因功耗引起的發(fā)熱問題均可以方便解決。因輸入電壓固定，多組輸出電壓時(shí)，能夠方便地實(shí)現(xiàn)高電壓調(diào)整率和高負(fù)載調(diào)整率，單級(jí)變換器很難做到此點(diǎn)。其他電路功能(如過流、過壓、過溫度保護(hù)等)不再一一闡述。經(jīng)測(cè)量該電路的工作效率約在92%左右，達(dá)到預(yù)定的設(shè)計(jì)要求，并且調(diào)試較簡(jiǎn)單，為今后的批量生產(chǎn)奠定了基礎(chǔ)。

4 結(jié)束語(yǔ)

交叉 級(jí) 聯(lián) 正激式變換器，電路組成稍微復(fù)雜，但能平坦分配各級(jí)損耗達(dá)到整體功耗最小，從而可在更高的環(huán)境溫度下工作。較低的功耗，意味著更高的效率;工作環(huán)境溫度高，意味著散熱處理能力強(qiáng)和輸出電流大。而可用輸出電流成本的降低，預(yù)示著系統(tǒng)長(zhǎng)期可靠性會(huì)更好。我們的實(shí)踐表明交叉級(jí)聯(lián)正激式同步整流拓樸確實(shí)是一種非常有前景的功率變換結(jié)構(gòu)。各項(xiàng)指標(biāo)優(yōu)于相同的單級(jí)變換器。