新型集成電路簡(jiǎn)化嵌入式POL DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

LTC3770 工作細(xì)節(jié)

在一般工作情況下，高端的 MOSFET 按照由單次計(jì)時(shí)器決定的固定時(shí)間間隔接通。當(dāng)高端的 MOSFET斷開時(shí)，低端的 MOSFET 接通，直到電流比較器 ICMP 跳變?yōu)橹梗缓笤僦匦聠?dòng)單次計(jì)時(shí)器并啟動(dòng)下一個(gè)周期。通過用檢測(cè)電阻或低端MOSFET 的導(dǎo)通電阻來檢測(cè)SENSE+（SSOP 封裝上為 PGND）和 SENSE－（SSOP封裝上為SW）引腳之間的電壓以決定電感器電流。ITH引腳上的電壓按照電感器谷值電流設(shè)置相對(duì)應(yīng)的比較器門限。誤差放大器EA 通過比較反饋信號(hào) VFB 和由 VREFIN引腳設(shè)置的基準(zhǔn)電壓來調(diào)節(jié)這個(gè)電壓。如果負(fù)載電流增大，那么反饋電壓相對(duì)基準(zhǔn)電壓會(huì)下降。然后 ITH電壓會(huì)上升，直到電感器平均電流再次與負(fù)載電流相等為止。

在低負(fù)載電流時(shí)，電感器電流可以降至零并變?yōu)樨?fù)值。反向電流比較器 IREV 檢測(cè)出這種變化之后關(guān)閉M2，從而引起斷續(xù)工作。兩個(gè)開關(guān)將保持關(guān)狀態(tài)，由輸出電容器為負(fù)載供電，直到 ITH電壓上升到高于零電流水平（0.75V）以啟動(dòng)另一個(gè)周期為止。PFB 引腳低于 0.6V 時(shí)，比較器 F禁止以斷續(xù)模式工作，強(qiáng)制以連續(xù)同步模式工作。

工作頻率完全由高端 MOSFET的接通時(shí)間和保持電壓穩(wěn)定所需的占空比決定。單次計(jì)時(shí)器產(chǎn)生與理想占空比成正比的接通時(shí)間，因此可保持VIN有變化時(shí)頻率近似恒定。標(biāo)稱頻率可以用外部電阻器RON來調(diào)節(jié)。

內(nèi)部25ms電源不良時(shí)標(biāo)定時(shí)器到期以后，如果輸出反饋電壓在穩(wěn)壓點(diǎn)附近存在±10%的窗口，那么過壓和欠壓比較器 OV 和 UV 就會(huì)把 PGOOD 輸出拉低。此外，在過壓情況下，M1 斷開，M2立即接通并保持接通狀態(tài)直到過壓狀態(tài)消失為止。

如果輸出對(duì)地短路，就提供折返電流限制。隨著VFB下降，被緩沖的電流門限電壓ITHB被拉低并箝位到0.9V。在VFB 接近 0V 時(shí)，這可將電感器谷值電流降低至最大值的 1/10。在啟動(dòng)時(shí)禁止折返電流限制。

LTC3770 的裕度是電阻可編程的。放置在可編程裕度輸入引腳和地之間的電阻設(shè)置裕度電流。這個(gè)電流與VREFOUT 和 VREFIN 引腳之間的電阻相乘，設(shè)置并決定裕度電壓偏移。此外，裕度功能的 MSB 和LSB

邏輯輸入共同決定該集成電路是處于高裕度、低裕度還是無裕度狀態(tài)。就需要在測(cè)試期間改變電源電壓以給系統(tǒng)增加壓力的用戶而言，這個(gè)功能尤其有用。

LTC3770

能用電容器自己實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)或跟蹤另一個(gè)電源的輸出。把這個(gè)器件配置成自己實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)時(shí)，要把一個(gè)電容器連接到TRACK/SS 引腳。如果 RUN 引腳電壓低于 1.5V，那么 LTC3770就被置為低靜態(tài)電流關(guān)斷狀態(tài)。在關(guān)斷狀態(tài)，TRACK/SS 引腳被主動(dòng)地拉低電平。一旦 RUN 引腳電壓高于 1.5V，LTC3770 就被加電。然后，1.4mA 的軟啟動(dòng)電流開始對(duì)軟啟動(dòng)電容器CSS充電。為了以軟啟動(dòng)模式工作，引腳 Z1 必須接地?！?/p>

當(dāng)這個(gè)器件配置成跟蹤另一個(gè)電源時(shí)，另一個(gè)電源的反饋電壓由一個(gè)電阻分壓器復(fù)制并加到 TRACK/SS引腳上。在這種情況下，引腳 Z1 應(yīng)該連接到 INTVCC上，以在這一模式中關(guān)斷軟啟動(dòng)電流。因此，這個(gè)引腳上的電壓斜坡率由另一個(gè)電源輸出電壓的斜坡率決定。