自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機(jī)存儲(chǔ)器(STT-MRAM)是一種接近“萬(wàn)能存儲(chǔ)器”的新型存儲(chǔ)器解決方案,極具應(yīng)用潛力。它既具有接近靜態(tài)存儲(chǔ)器的納秒級(jí)讀寫速度,又具有閃存級(jí)別的容量,和類似Flash的數(shù)據(jù)斷電不丟失存儲(chǔ)特性。STT-MRAM由于其數(shù)據(jù)以磁狀態(tài)存儲(chǔ),具有天然的抗輻照、高可靠性以及幾乎無(wú)限次的讀寫次數(shù),已被一些國(guó)家列為最具應(yīng)用前景的下一代存儲(chǔ)器之一。