近期, 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所(以下簡稱“上海微系統(tǒng)所”)與愛發(fā)科集團共同創(chuàng)立“先進存儲器技術(shù)聯(lián)合實驗室”。這次成立聯(lián)合實驗室,雙方意在尋求半導(dǎo)體先進存儲領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新、推動存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
中國科學(xué)院超導(dǎo)電子學(xué)卓越創(chuàng)新中心、上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點實驗室研究員沈大偉與副研究員劉中灝課題組,與中國人民大學(xué)教授王善才、雷和暢、劉凱團隊以及德國萊布尼茨固體物理材料研究所(IFW—Dresden)教授Sergey Borisenko研究小組成員進行合作,利用高分辨角分辨光電子能譜實驗技術(shù)與第一性原理計算對高質(zhì)量TiB2 單晶樣品的低能電子結(jié)構(gòu)進行了研究,首次證實了拓?fù)浒虢饘賂iB2 中存在節(jié)線(nodal-line)型的電子結(jié)構(gòu)。相關(guān)論文Experimental Observa