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雙軸應(yīng)變下GaN有效質(zhì)量的計算及其對遷移率的影響
摘 要：通過計算雙軸應(yīng)變下氮化鎵的電子能帶結(jié)構(gòu)，給出了GaN有效質(zhì)量與應(yīng)變的變化關(guān)系。在弛豫時間近似的條件下，這種關(guān)系決定了雙軸應(yīng)變AlGaN/GaN中二維電子氣(2DEG)的遷移率的改變。在其他物理參量不變的情況下，這種二維電子氣遷移率將隨著張應(yīng)變的增加而增加，并隨著壓應(yīng)變的增加而減小。計算結(jié)果表明，張應(yīng)變對2DEG遷移率的影響要比壓應(yīng)變大。此外，GaN有效質(zhì)量的變化在低溫時對遷移率的作用更明顯。而在低溫低濃度的條件下，遷移率卻對有效質(zhì)量的依賴很小。
