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UnitedSiC在UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩個(gè)650V SiC FET封裝
2019年7月24日，美國(guó)新澤西州普林斯頓---新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布，在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開關(guān)UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項(xiàng)。
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管共源共柵視頻放大器電路
該場(chǎng)效應(yīng)晶體管共源共柵視頻放大器的特點(diǎn)包括非常低的輸入負(fù)載以及其反饋可降低至零。使用2N5485是由于它的電容很低，而Yfs卻很高。該放大器的頻帶寬度受R1和負(fù)載電容的限
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采用增益提高技術(shù)的兩級(jí)放大器的設(shè)計(jì)
基于chartered 0.35 μm工藝，采用PMOS管作為輸入管的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一種采用增益提高技術(shù)的兩級(jí)運(yùn)算放大器.利用Cadence公司的spectre對(duì)電路進(jìn)行仿真，該電路在3.3 V電源電壓下具有125.8 dB的直流開環(huán)增益，2.43 MHz的單位增益帶寬，61.2°的相位裕度，96.3 dB的共模抑制比.
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一款高性能共源共柵運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)
摘要：基于CSMC0．5μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，采用復(fù)用型折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)一種折疊式共源共柵運(yùn)算放大器。該電路在5V電源電壓下驅(qū)動(dòng)5pF負(fù)載電容，采用Cadence公司的模擬仿真工具Spectre對(duì)電路進(jìn)行仿真。結(jié)果表明，
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提高共源共柵CMOS功率放大器效率的方案
摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計(jì)方案，使用CMOS工藝設(shè)計(jì)了兩級(jí)全差分放大電路，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
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一種恒跨導(dǎo)CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)
摘要：設(shè)計(jì)了一種寬帶軌對(duì)軌運(yùn)算放大器，此運(yùn)算放大器在3．3 V單電源下供電，采用電流鏡和尾電流開關(guān)控制來實(shí)現(xiàn)輸入級(jí)總跨導(dǎo)的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數(shù)，采用用折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)作為前
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0.6μmCMOS工藝全差分運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)
本文給出了一種低電壓全差分套筒式運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)方法，同時(shí)對(duì)該設(shè)計(jì)方法進(jìn)行了仿真，從仿真結(jié)果可以看出，在保證高增益、低功耗的同時(shí)，該設(shè)計(jì)還可以滿足20 MHz流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器中運(yùn)放的設(shè)計(jì)要求。
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一種折疊共源共柵運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)
本文介紹的運(yùn)放是一種采用TSMC 0.18 μm Mixed Signal SALICIDE（1P6M，1.8V/3.3V）CMOS工藝的折疊共源共柵運(yùn)放，并對(duì)其進(jìn)行了DC，AC及瞬態(tài)分析，最后與設(shè)計(jì)指標(biāo)進(jìn)行比較。
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