英飛凌 CoolGaN?功率晶體管賦能SounDigital放大器,更小尺寸、更高保真
Efficient Energy Technology(EET)的SolMate? 選用EPC氮化鎵器件,使效率倍增和延長(zhǎng)了產(chǎn)品使用壽命
CGD 的 ICeGaN HEMT 榮獲臺(tái)積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”
TI 提出了新的指數(shù)驅(qū)動(dòng)因素
EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管,比等效硅器件小20倍且成本更低
意法半導(dǎo)體推出新的射頻LDMOS功率晶體管
EPC新推80 V和200 V eGaN?FET,進(jìn)一步擴(kuò)大其高性能氮化鎵產(chǎn)品陣容
關(guān)于鋰離子電池需要均衡的幾點(diǎn)原因及注意事項(xiàng)解析
關(guān)于同步整流降壓轉(zhuǎn)換器損耗,你知道怎么處理嗎?
意法半導(dǎo)體推出世界首款驅(qū)動(dòng)與GaN集成產(chǎn)品開創(chuàng)更小、更快充電器電源時(shí)代
需要制作一個(gè)時(shí)間控制繼電器開關(guān)的程序
預(yù)算:¥10004G通訊控制報(bào)警電路板開發(fā),要求一個(gè)月內(nèi)交付合格產(chǎn)品
預(yù)算:¥4000基于STM32的SPI接口,實(shí)現(xiàn)wifi無(wú)線傳輸
預(yù)算:¥12000