功率 MOS

S-MOS 單元技術(shù)提高了 SiC MOSFET 的效率

初創(chuàng)公司mqSemi提出了一種適用于基于功率 MOS 的器件的單點源 MOS (S-MOS) 單元概念。S-MOS 概念已通過使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備軟件的 3D-TCAD 模擬在 1200V SiC MOSFET 結(jié)構(gòu)上進(jìn)行了調(diào)整和實施。提供了全套靜態(tài)和動態(tài)結(jié)果，用于比較 S-MOS 與采用平面和溝槽 MOS 單元設(shè)計的參考 SiC MOSFET 2D 結(jié)構(gòu)。