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氮化鎵場效應(yīng)晶體管與硅功率器件在包絡(luò)跟蹤技術(shù)中的比拼
隨著移動通信技術(shù)的飛速發(fā)展，尤其是5G及未來6G技術(shù)的不斷演進，對射頻(RF)系統(tǒng)的效率、帶寬和功率密度提出了更高要求。在這一背景下，包絡(luò)跟蹤(Envelope Tracking, ET)技術(shù)作為一種有效提升射頻功率放大器(RFPA)效率的方法，受到了廣泛關(guān)注。而在包絡(luò)跟蹤技術(shù)的實現(xiàn)中，氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)與硅功率器件之間的比拼，成為了技術(shù)前沿的熱點話題。
