原子層沉積

SRII重磅推出兩款A(yù)LD新品，滿足泛半導(dǎo)體應(yīng)用多功能性和靈活性的需求

原子層沉積（ALD）工藝被認(rèn)為是邏輯和存儲半導(dǎo)體器件微縮化的重要推動力。過去20年，ALD工藝及設(shè)備已經(jīng)廣泛應(yīng)用于邏輯和存儲器件的大批量制造，不斷推動諸如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）、先進(jìn)的鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）以及柵極環(huán)繞晶體管等器件性能的改進(jìn)與創(chuàng)新。隨著摩爾定律放緩，ALD工藝逐漸滲透到更多應(yīng)用領(lǐng)域，如超摩爾(More-than-Moore，MtM)器件的生產(chǎn)中，正在推動新的架構(gòu)、材料和性能的改進(jìn)。