器件結(jié)構(gòu)

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東芝新器件結(jié)構(gòu)問(wèn)世，可顯著提高SiC?MOSFET的性能

點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！目前碳化硅（SiC）被廣泛視為下一代功率器件的材料，因?yàn)樗裙璧碾妷焊撸瑩p耗更低。然而，雖然碳化硅器件具有很大的發(fā)展前景，但該類器件的產(chǎn)品可靠性一直備受爭(zhēng)議，這也使其使用情況和市場(chǎng)增長(zhǎng)受到了阻礙。其中一個(gè)重要問(wèn)題是當(dāng)電流流過(guò)位于功率MOSFE...

TOSHIBA東芝半導(dǎo)體
2021-08-19

MOSFET 東芝器件結(jié)構(gòu)
微電子所在面向應(yīng)用的阻變存儲(chǔ)器研究上取得新進(jìn)展

日前，微電子所在面向應(yīng)用的阻變存儲(chǔ)器研究上取得新進(jìn)展。阻變存儲(chǔ)器（RRAM）是非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的一種重要的替代方案，具有工藝及器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、微縮性好、高速、低功耗、可嵌入功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。微電子所納米加工與新器

消費(fèi)電子
2014-01-06

存儲(chǔ)器微電子 RAM 器件結(jié)構(gòu)
OLED高光效需解決材料和結(jié)構(gòu)問(wèn)題

OLED照明要在效率上達(dá)到熒光燈的應(yīng)用水平，其功率效率至少要達(dá)到70lm/W，雖然目前約100lm/W的OLED照明器件已經(jīng)有報(bào)道，但這是在非常極端的情況下制造出來(lái)的，通常情況下制造出來(lái)的OLED照明器件的效率也只有30~50lm/W

顯示光電
2012-10-11

光譜 OLED LED照明器件結(jié)構(gòu)
OLED高光效需解決材料和結(jié)構(gòu)問(wèn)題

OLED照明要在效率上達(dá)到熒光燈的應(yīng)用水平，其功率效率至少要達(dá)到70lm/W，雖然目前約100lm/W的OLED照明器件已經(jīng)有報(bào)道，但這是在非常極端的情況下制造出來(lái)的，通常情況下制造出來(lái)的OLED照明器件的效率也只有30~50lm/W

顯示光電
2012-03-13

光譜 OLED LED照明器件結(jié)構(gòu)
OLED高光效需解決材料和結(jié)構(gòu)問(wèn)題

OLED照明要在效率上達(dá)到熒光燈的應(yīng)用水平，其功率效率至少要達(dá)到70lm/W，雖然目前約100lm/W的OLED照明器件已經(jīng)有報(bào)道，但這是在非常極端的情況下制造出來(lái)的，通常情況下制造出來(lái)的OLED照明器件的效率也只有30~50lm/W

數(shù)字電源
2012-03-11

光譜 OLED LED照明器件結(jié)構(gòu)

器件結(jié)構(gòu)

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OLED高光效需解決材料和結(jié)構(gòu)問(wèn)題

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東芝新器件結(jié)構(gòu)問(wèn)世，可顯著提高SiC?MOSFET的性能

微電子所在面向應(yīng)用的阻變存儲(chǔ)器研究上取得新進(jìn)展

OLED高光效需解決材料和結(jié)構(gòu)問(wèn)題

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