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東芝新器件結構問世，可顯著提高SiC?MOSFET的性能
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！目前碳化硅（SiC）被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為它比硅的電壓更高，損耗更低。然而，雖然碳化硅器件具有很大的發(fā)展前景，但該類器件的產(chǎn)品可靠性一直備受爭議，這也使其使用情況和市場增長受到了阻礙。其中一個重要問題是當電流流過位于功率MOSFE...
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微電子所在面向應用的阻變存儲器研究上取得新進展
日前，微電子所在面向應用的阻變存儲器研究上取得新進展。阻變存儲器（RRAM）是非揮發(fā)性存儲器的一種重要的替代方案，具有工藝及器件結構簡單、微縮性好、高速、低功耗、可嵌入功能強等優(yōu)點。微電子所納米加工與新器
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OLED高光效需解決材料和結構問題
OLED照明要在效率上達到熒光燈的應用水平，其功率效率至少要達到70lm/W，雖然目前約100lm/W的OLED照明器件已經(jīng)有報道，但這是在非常極端的情況下制造出來的，通常情況下制造出來的OLED照明器件的效率也只有30~50lm/W
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OLED高光效需解決材料和結構問題
OLED照明要在效率上達到熒光燈的應用水平，其功率效率至少要達到70lm/W，雖然目前約100lm/W的OLED照明器件已經(jīng)有報道，但這是在非常極端的情況下制造出來的，通常情況下制造出來的OLED照明器件的效率也只有30~50lm/W
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OLED高光效需解決材料和結構問題
OLED照明要在效率上達到熒光燈的應用水平，其功率效率至少要達到70lm/W，雖然目前約100lm/W的OLED照明器件已經(jīng)有報道，但這是在非常極端的情況下制造出來的，通常情況下制造出來的OLED照明器件的效率也只有30~50lm/W
