當前,量產的晶體管已經進入4nm尺度,3nm研發(fā)也已經凍結進入試產。半導體行業(yè)大腦imec(比利時微電子研究中心)公布了未來十年的技術藍圖。據悉,2025年后,晶體管微縮化進入埃米尺度(?,angstrom,1埃 = 0.1納米)
隨著半導體發(fā)展腳步接近未來的14埃米,工程師們可能得開始在相同的芯片上混合FinFET和納米線或穿隧FET或自旋波晶體管,他們還必須嘗試更多類型的內存;另一方面,14埃米節(jié)點也暗示著原子極限不遠了…
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