<thead id="v6yd3"></thead>

<mark id="v6yd3"><font id="v6yd3"><strike id="v6yd3"></strike></font></mark>

基半導(dǎo)體激光器

關(guān)注0人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

硅襯底InGaN基半導(dǎo)體激光器是個(gè)啥？

在硅襯底上成功生長(zhǎng)了厚度達(dá)到6 μm左右的InGaN基激光器結(jié)構(gòu)，位錯(cuò)密度小于6×108 cm-2，成功實(shí)現(xiàn)了世界上首個(gè)室溫連續(xù)電注入條件下激射的硅襯底InGaN基激光器，激射波長(zhǎng)為413 nm，閾值電流密度為4.7 kA/cm2。

顯示光電
2016-08-19

ingan 硅襯底基半導(dǎo)體激光器