增強(qiáng)型fet

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  • 耗盡型模擬開(kāi)關(guān)：無(wú)電源也能高性能連接

    增強(qiáng)型FET用于當(dāng)今絕大多數(shù)電子產(chǎn)品中，工作模式基于簡(jiǎn)單的概念?？紤]到增強(qiáng)型NFET采用共源極結(jié)構(gòu)(圖1，左)-當(dāng)門極與源在相同的電勢(shì)，漏源極之間的溝道電阻很高，我們認(rèn)為晶體管是‘關(guān)斷’的。這些FET需要一個(gè)正的門極到源電壓，以導(dǎo)通溝道，并在漏源極之間傳導(dǎo)。當(dāng)沒(méi)有完全飽和時(shí)，這些FET的溝道電阻會(huì)有很大的變化。這可能導(dǎo)致模擬信號(hào)的問(wèn)題，需要在整個(gè)信號(hào)幅度范圍的低失真。此外，當(dāng)采用增強(qiáng)型FET的模擬開(kāi)關(guān)失去電源時(shí)，其狀態(tài)是不確定的;它不會(huì)很好地傳導(dǎo)，很可能也不會(huì)很好地隔離信號(hào)。

  • 耗盡型模擬開(kāi)關(guān)：無(wú)電源也能高性能連接

    耗盡型MOSFET開(kāi)關(guān)，一度不那么受歡迎，且常被視為典型的增強(qiáng)型FET的同屬，卻在最近幾年中越來(lái)越受歡迎。安森美半導(dǎo)體投入該技術(shù)，開(kāi)發(fā)出越來(lái)越多的耗盡型模擬開(kāi)關(guān)系列。這些開(kāi)關(guān)越來(lái)越多地用于很好地解決工程問(wèn)題。此博客將使讀者更好地了解這些實(shí)用的器件的能力，并介紹方案示例。