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中科院微電子所在28nm RRAM存內(nèi)計算電路取得進展
物聯(lián)網(wǎng)與人工智能技術的迅猛發(fā)展對邊緣節(jié)點計算平臺的實時數(shù)據(jù)處理能力與能效提出了更高的要求，基于新型存儲器的非易失存內(nèi)計算技術可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)的原位存儲與計算、最小化數(shù)據(jù)搬運帶來的功耗與延遲開銷，從而大幅提升邊緣設備的數(shù)據(jù)處理能力與效能比。然而，由于基礎單元特性的非理想因素，陣列中的寄生效應以及模數(shù)轉(zhuǎn)換電路的硬件開銷，非易失存內(nèi)計算仍然面臨計算性能與能效方面的限制。圍繞上述關鍵問題，微電子所劉明院士團隊采用跨層次協(xié)同設計的方法，提出了高并行與高效能比的新型RRAM存內(nèi)計算結(jié)構(gòu)。
