半導(dǎo)體設(shè)備應(yīng)在設(shè)備制造商規(guī)定的電壓、電流和功率限制范圍內(nèi)運(yùn)行。這些限制適用于設(shè)備的電源和 I/O 連接。當(dāng)設(shè)備在此“安全工作區(qū)”(SOA) 之外運(yùn)行時(shí),電氣過應(yīng)力 (EOS) 會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部電壓擊穿,進(jìn)而導(dǎo)致內(nèi)部損壞,從而毀壞設(shè)備。如果 EOS 產(chǎn)生更高的電流,則設(shè)備也會(huì)過熱,從而導(dǎo)致故障原因增加熱過應(yīng)力。增加的熱應(yīng)力導(dǎo)致二次模式故障,之所以命名是因?yàn)闊釕?yīng)力來自主 EOS。
即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí),任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動(dòng)電源,支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或
即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí),任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動(dòng)電源,支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板,從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題。控制器 IC 驅(qū)動(dòng)與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1)。電路板插入后,MOSFET 開關(guān)緩慢接通,這樣,流入的浪涌電流對(duì)負(fù)載電容充電時(shí)能夠保持在安全水平。