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寬帶隙技術發(fā)展現(xiàn)狀 不斷演變的寬帶隙半導體技術
幾乎所有采用電氣控制、通信、電力、驅動和傳感的技術系統(tǒng)都已實現(xiàn)了電氣化以及電氣連接。從20世紀50年代開始，硅 (Si) 一直是這項技術的核心元素。經過幾十年的發(fā)展，Si已經成為一種用途極為廣泛的半導體。然而，Si在高功率、高頻率、高效率、抗輻射、低噪聲和光電能力等特定領域的應用卻受到了限制。第三代半導體，尤其是寬帶隙 (WBG) 半導體，提供了優(yōu)于Si的性能優(yōu)勢，這也證明了有必要花費大量時間和精力來開發(fā)經濟上可行的半導體制造基礎設施和工藝。
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英飛凌與臺達雙強連手：以寬帶隙技術搶攻高端服務器及電競電源市場
【2022年7月8日，德國慕尼黑訊】數字化、低碳化等全球大趨勢推升了采用寬帶隙 (WBG)器件碳化硅/氮化鎵 (SiC/GaN) 器件的需求。這類器件具備獨特的技術特性，能夠助力電源產品優(yōu)化性能和能源效率。英飛凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 與臺達電子工業(yè)股份有限公司 (TWSE: 2308) 兩家全球電子大廠，長期致力于創(chuàng)新的半導體和電力電子領域，今日宣布深化其合作，強化寬帶隙SiC及GaN器件在高端電源產品上的應用，為終端客戶提供出色的解決方案。
