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Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET
業(yè)內(nèi)唯一可同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型（cascade）和增強(qiáng)型（e-mode）氮化鎵器件的供應(yīng)商
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英飛凌在PCIM Europe 2023以創(chuàng)新的半導(dǎo)體解決方案推動(dòng)低碳化和數(shù)字化，助力實(shí)現(xiàn)更綠色的未來(lái)
【2023 年 4 月 26日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）提供CoolSiC?以及CoolGaN?等電源解決方案，可提升能源效率。這使其成為可持續(xù)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵和能源轉(zhuǎn)型的重要基石。在PCIM Europe 2023上，英飛凌將展示其功率半導(dǎo)體和寬禁帶技術(shù)方面的最新解決方案如何為當(dāng)前的綠色和數(shù)字轉(zhuǎn)型挑戰(zhàn)提供方案。英飛凌將以“推動(dòng)低碳化和數(shù)字化”為主旨，進(jìn)行大量演示、現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)講座，并提供與專家討論設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的機(jī)會(huì)。另外，業(yè)內(nèi)人士也可以注冊(cè)英飛凌線上平臺(tái)，該平臺(tái)將從4月27日起全天候開(kāi)放。
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安森美半導(dǎo)體寬禁帶技術(shù)――支持大趨勢(shì)應(yīng)用
使用諸如碳化硅(SiC)等材料的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)正在興起，為重要的高增長(zhǎng)終端應(yīng)用領(lǐng)域如汽車DC-DC和電動(dòng)汽車車載充電器以及太陽(yáng)能、不間斷電源和服務(wù)器電源帶來(lái)顯著的好處和增強(qiáng)的可靠性。
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安森美推出新的工業(yè)級(jí)和符合車規(guī)的SiC MOSFET，為迅速增長(zhǎng)的應(yīng)用帶來(lái)寬禁帶性能的優(yōu)勢(shì)
安森美半導(dǎo)體新的SiC MOSFET另一獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)是具有專利的終端結(jié)構(gòu)，增加了可靠性和強(qiáng)固性，并增強(qiáng)了工作穩(wěn)定性。NVHL080N120SC1設(shè)計(jì)用于承受高浪涌電流，并提供高的雪崩能力和強(qiáng)固的短路保護(hù)。
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