-
如何在射頻應用中實現超快速電源暫態(tài)響應
本文展現了在無線尤其是在射頻領域應用中，實現超快速電源瞬態(tài)響應的實用方法。其旨在解決由于電源瞬態(tài)消隱時間，給系統(tǒng)設計開發(fā)者帶來的信號處理效率低下的問題與挑戰(zhàn)。針對不同的應用，ADI提出了相應的示例解決方案，并引入了Silent Switcher 3單片電源產品實現最佳瞬態(tài)性能。
-
用于下一代射頻應用的氮化鎵 (GaN) 概述
近二十年來，氮化鎵 (GaN) 半導體技術已被曝光，預示著射頻功率能力的范式轉變。盡管所有這些承諾尚未兌現，但 GaN 器件已穩(wěn)步進入許多射頻、微波、毫米波 (mmWave)，甚至現在甚至是太赫茲波 (THz) 應用。
-
GaN 將射頻應用推向新的階段
氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙半導體，可滿足高功率和射頻應用日益增長的需求。GaN 的帶隙是傳統(tǒng)硅的三倍以上，它允許功率器件在比硅更高的溫度和電壓下工作，而不會破壞或降低其性能和可靠性。此外，其極低的導通電阻使 GaN 能夠提供非常高的電流和射頻功率密度，在雷達、功率轉換器和功率放大器等高功率射頻系統(tǒng)中得到應用。
-
氮化鎵的卓越表現：推動主流射頻應用實現規(guī)?；?、供應安全和快速應對能力
數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。
巧克力娃娃
