平創(chuàng)半導(dǎo)體

平創(chuàng)半導(dǎo)體與CISSOID共建高功率密度和高溫應(yīng)用中心

比利時(shí)蒙-圣吉貝爾和中國(guó)重慶 – 2022年10月17日 – 提供基于碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的耐高溫、長(zhǎng)壽命、高效率、緊湊型驅(qū)動(dòng)電路和智能功率模塊解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID S. A.（CISSOID）,與第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)、器件研發(fā)、模塊制造及系統(tǒng)應(yīng)用創(chuàng)新解決方案提供商重慶平創(chuàng)半導(dǎo)體研究院有限責(zé)任公司，今日共同宣布：雙方已建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將針對(duì)碳化硅等第三代功率半導(dǎo)體的應(yīng)用共同開展研發(fā)項(xiàng)目，使碳化硅功率器件的優(yōu)良性能能夠在航空航天、數(shù)字能源、新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、5G通信、節(jié)能環(huán)保等領(lǐng)域得以充分發(fā)揮，并提供優(yōu)質(zhì)的高功率密度和高溫應(yīng)用系統(tǒng)解決方案。