<ruby id="vucdf"><noframes id="vucdf"></noframes></ruby>

<input id="vucdf"><s id="vucdf"><thead id="vucdf"></thead></s></input>

<abbr id="vucdf"></abbr>

平面mos

關(guān)注0人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

羅姆第二代超級(jí)結(jié)MOS-PrestoMOS要把平面MOS虐到哭

在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計(jì)平臺(tái)是基于平面技術(shù)?，F(xiàn)如今，基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在高頻

21ic專(zhuān)訪
2017-07-11

技術(shù)專(zhuān)訪羅姆超級(jí)結(jié)mos 平面mos