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降低MOSFET損耗并提升EMI性能：二者兼得的有效方法
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件，其性能對(duì)整體系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性具有重要影響。然而，MOSFET在開關(guān)過程中會(huì)產(chǎn)生損耗，同時(shí)，快速開關(guān)動(dòng)作還可能導(dǎo)致電磁干擾(EMI)問題。因此，如何在降低MOSFET損耗的同時(shí)提升EMI性能，成為電子工程師面臨的重要挑戰(zhàn)。
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開關(guān)電源傳導(dǎo) EMI 問題基本技巧
眾所周知，開關(guān)電源是將功率半導(dǎo)體器件作為開關(guān)元件并通過周期性通斷開關(guān)，控制開關(guān)元件的占空比來調(diào)整輸出電壓。
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數(shù)字晶體管的作用
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)字電路已成為現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的核心組成部分。在數(shù)字電路中，數(shù)字晶體管作為一種重要的開關(guān)元件，發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。本文將詳細(xì)探討數(shù)字晶體管的基本概念、工作原理、主要類型、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢(shì)，以期對(duì)讀者深入理解數(shù)字晶體管的作用提供有益的參考。
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互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)概述
由開關(guān)元件按一定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制方式構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)以實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)部多個(gè)處理機(jī)或多個(gè)功能部件間的相互連接。在并行處理計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、分布計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)網(wǎng)等由多個(gè)處理機(jī)或多個(gè)功能部件組成的各種系統(tǒng)中，都會(huì)遇到機(jī)間互連問題。
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