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超實用：預防和整改EMI的22個總結(jié)！
作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強度較大;干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚。
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多路開關(guān)狀態(tài)指示電路圖
1.實驗任務(wù)如圖所示，AT89S51單片機的P1.0-P1.3接四個發(fā)光二極管L1-L4，P1.4-P1.7接了四個開關(guān)K1-K4，編程將開關(guān)的狀態(tài)反映到發(fā)光二極管上。(開關(guān)閉合，對應(yīng)的燈亮，開關(guān)斷開，對應(yīng)的燈滅)。2.電路原理圖 3.系統(tǒng)板上
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MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別？
MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)
