思銳智能

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  • 立足產(chǎn)業(yè)發(fā)展新階段，思銳智能以先進(jìn)ALD技術(shù)拓展超摩爾時(shí)代新維度

    日前，以“凝聚芯合力，發(fā)展芯設(shè)備”為主題的第十屆（2022）中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備年會(huì)（CSEAC）在無(wú)錫太湖國(guó)際博覽中心隆重召開(kāi)。中國(guó)集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)、中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)集成電路分會(huì)理事長(zhǎng)葉甜春在致辭中強(qiáng)調(diào)，中國(guó)集成電路發(fā)展到現(xiàn)在，確實(shí)需要進(jìn)入新的階段。這帶來(lái)的變化就是從被動(dòng)到主動(dòng)的變化。如今，既然我們有自己的體系，就需要從系統(tǒng)應(yīng)用、設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、裝備、裁量、零部件形成內(nèi)循環(huán)，然后對(duì)接國(guó)際資源構(gòu)建國(guó)內(nèi)國(guó)際雙循環(huán)，最終主動(dòng)打造一個(gè)以我為主的全球化的新生態(tài)。

  • SRII重磅推出兩款A(yù)LD新品，滿足泛半導(dǎo)體應(yīng)用多功能性和靈活性的需求

    原子層沉積（ALD）工藝被認(rèn)為是邏輯和存儲(chǔ)半導(dǎo)體器件微縮化的重要推動(dòng)力。過(guò)去20年，ALD工藝及設(shè)備已經(jīng)廣泛應(yīng)用于邏輯和存儲(chǔ)器件的大批量制造，不斷推動(dòng)諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）、先進(jìn)的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）以及柵極環(huán)繞晶體管等器件性能的改進(jìn)與創(chuàng)新。隨著摩爾定律放緩，ALD工藝逐漸滲透到更多應(yīng)用領(lǐng)域，如超摩爾(More-than-Moore，MtM)器件的生產(chǎn)中，正在推動(dòng)新的架構(gòu)、材料和性能的改進(jìn)。

  • SRII重磅亮相CICD 2021，以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

    功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場(chǎng)景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對(duì)領(lǐng)先的市場(chǎng)份額。不過(guò)，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、手機(jī)快充等應(yīng)用的興起，擁有更高耐壓等級(jí)、更高開(kāi)關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。

  • GaN快充市場(chǎng)賽道提速，SRII交付半導(dǎo)體晶圓設(shè)備助力中國(guó)產(chǎn)能擴(kuò)充

    隨著蘋果公司正式推出140W氮化鎵（GaN）快充，以智能手機(jī)、筆記本電腦為代表的消費(fèi)電子快充市場(chǎng)迎來(lái)了又一標(biāo)桿性產(chǎn)品的重要拐點(diǎn)。近兩年來(lái)，全球GaN充電器的出貨量已經(jīng)突破了數(shù)千萬(wàn)只。然而，這僅僅只是開(kāi)端。