思銳智能

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  • 立足產(chǎn)業(yè)發(fā)展新階段，思銳智能以先進ALD技術(shù)拓展超摩爾時代新維度

    日前，以“凝聚芯合力，發(fā)展芯設(shè)備”為主題的第十屆（2022）中國半導(dǎo)體設(shè)備年會（CSEAC）在無錫太湖國際博覽中心隆重召開。中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長、中國半導(dǎo)體協(xié)會集成電路分會理事長葉甜春在致辭中強調(diào)，中國集成電路發(fā)展到現(xiàn)在，確實需要進入新的階段。這帶來的變化就是從被動到主動的變化。如今，既然我們有自己的體系，就需要從系統(tǒng)應(yīng)用、設(shè)計、制造、封測、裝備、裁量、零部件形成內(nèi)循環(huán)，然后對接國際資源構(gòu)建國內(nèi)國際雙循環(huán)，最終主動打造一個以我為主的全球化的新生態(tài)。

  • SRII重磅推出兩款A(yù)LD新品，滿足泛半導(dǎo)體應(yīng)用多功能性和靈活性的需求

    原子層沉積（ALD）工藝被認為是邏輯和存儲半導(dǎo)體器件微縮化的重要推動力。過去20年，ALD工藝及設(shè)備已經(jīng)廣泛應(yīng)用于邏輯和存儲器件的大批量制造，不斷推動諸如動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）、先進的鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）以及柵極環(huán)繞晶體管等器件性能的改進與創(chuàng)新。隨著摩爾定律放緩，ALD工藝逐漸滲透到更多應(yīng)用領(lǐng)域，如超摩爾(More-than-Moore，MtM)器件的生產(chǎn)中，正在推動新的架構(gòu)、材料和性能的改進。

  • SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

    功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對領(lǐng)先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機快充等應(yīng)用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。

  • GaN快充市場賽道提速，SRII交付半導(dǎo)體晶圓設(shè)備助力中國產(chǎn)能擴充

    隨著蘋果公司正式推出140W氮化鎵（GaN）快充，以智能手機、筆記本電腦為代表的消費電子快充市場迎來了又一標桿性產(chǎn)品的重要拐點。近兩年來，全球GaN充電器的出貨量已經(jīng)突破了數(shù)千萬只。然而，這僅僅只是開端。