摘 要:隨工藝的演進(jìn),集成電路發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入超深亞微米階段,芯片的成本、,性能、功耗、信號(hào)完整性等問(wèn)題將成 為制約SOC芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵問(wèn)題。文章基于65GP工藝的實(shí)際項(xiàng)目模塊級(jí)物理設(shè)計(jì),在現(xiàn)超深亞微米下,對(duì)芯片的低功耗、 congestion,信號(hào)完整,性等后端物理設(shè)計(jì)等關(guān)鍵問(wèn)題進(jìn)行了細(xì)致研究,并提出了一些新方法和新思想,從而提高了signoff的交 付質(zhì)量,完成了tapeout要求。
擁塞管理是指網(wǎng)絡(luò)在發(fā)生擁塞時(shí),如何進(jìn)行管理和控制。FIFO隊(duì)列不對(duì)報(bào)文進(jìn)行分類,按報(bào)文到達(dá)接口的先后順序讓報(bào)文進(jìn)入隊(duì)列,采用盡力而為的轉(zhuǎn)發(fā)模式,PQ隊(duì)列是針對(duì)關(guān)鍵業(yè)務(wù)應(yīng)用設(shè)計(jì)的。