-
Linear 推出 IEEE 802.3bt 受電設(shè)備 (PD) 接口控制器 LT4294
亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.，簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 IEEE 802.3bt 受電設(shè)備 (PD) 接口控制器 LT4294，該器件適用于需
-
Linear 推出高效率 LTPoE++ PD 控制器 LT4276 集成了正激式 / 反激式控制器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出LTPoE++™、PoE+ 和 PoE 兼容受電設(shè)備 (PD) 接口控制器 LT4276，該器件面向需要 2W 至 90W 功率的應(yīng)用。LT4276 集成了一個 PD 控制器和一個隔離式開關(guān)穩(wěn)壓器控制器，能夠在輔助電源的支持下以正激和反激式拓?fù)鋵崿F(xiàn)同步工作。這種集成通過減少組件數(shù)量和所占用的電路板面積，簡化了前端 PD 設(shè)計，從而允許 LT4276A (LTPoE++)、LT4276B (PoE+) 和 LT4276C (PoE) 僅用一個 IC 高效地為 PD 負(fù)載供電。 通過將功率預(yù)算擴(kuò)展至 4 個新的功率級 (38.7W、52.7W、70W 和 90W)，凌力爾特的 LTPoE++ 標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)展了對如今那類功率非常高的應(yīng)用之支持，例如微微蜂窩基站、標(biāo)牌和室外安防攝像機(jī)。與集成功率 MOSFET 的傳統(tǒng) PD 控制器不同，LT4276 控制一個外部 MOSFET，以顯著地降低 PD 產(chǎn)生的總體熱量并最大限度提高電源效率，這在較高功率級時尤其重要。這種新方法允許用戶按照應(yīng)用的具體熱量及效率要求調(diào)整 MOSFET，從而允許在必要時使用 RDS(ON) 低至 30mΩ 的MOSFET。100V 額定輸入電壓意味著，LT4276 很容易承受最常見的以太網(wǎng)電壓浪涌而不被損壞，并針對這種浪涌保護(hù) PD。
