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英國Pickering Electronics公司將于EDI Con2024 展出用于高速數(shù)字開關(guān)的同軸舌簧繼電器
2024年4月7日，高性能舌簧繼電器的領(lǐng)先制造商Pickering Electronics將于4月9日至10日參加在北京國家會議中心舉行的EDI CON(電子設(shè)計創(chuàng)新大會)，并展示用于射頻和高速數(shù)字開關(guān)的同軸舌簧繼電器，包括最新的113RF系列。
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CMOS耗盡模式技術(shù)具有許多優(yōu)勢，第一部分
傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因為源極和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只有三個端子當(dāng)柵極控制電壓在電源和地之間變化時，柵極的三端耗盡型 MOSFET 的溝道。Dr. Kahng 的耗盡型 MOSFET 只能用作可變電阻或同相線性緩沖器。從那時起，耗盡型 MOSFET 一直被用作三端線性器件。
