自問(wèn)世以來(lái),NAND閃存對(duì)ECC(糾錯(cuò)碼)糾錯(cuò)能力的要求越來(lái)越高。雖然這不是一個(gè)新問(wèn)題,但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲(chǔ)三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術(shù)所需的
自問(wèn)世以來(lái),NAND閃存對(duì)ECC(糾錯(cuò)碼)糾錯(cuò)能力的要求越來(lái)越高。雖然這不是一個(gè)新問(wèn)題,但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲(chǔ)三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術(shù)所需的