無(wú)線電網(wǎng)

我要報(bào)錯(cuò)

  • 美國(guó)佐治亞理工學(xué)院為 5G 準(zhǔn)備“無(wú)線電網(wǎng)”

    佐治亞理工學(xué)院的研究人員設(shè)計(jì)了一種新穎的方法來(lái)收集 28GHz 的 5G 頻率來(lái)為物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)供電，實(shí)際上將它們變成了“無(wú)線電網(wǎng)”。 開(kāi)發(fā)了基于 Rotman 透鏡的整流天線（稱為 rectenna），使其可以通過(guò) 3D 打印在柔性基板上生產(chǎn)，從而輕松集成到物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)中。

  • GAN將逐漸取代LDMOS

    如今，電子業(yè)正邁向4G的終點(diǎn)、5G的起點(diǎn)。 后者發(fā)展上仍有不少進(jìn)步空間，但可以確定，新一代無(wú)線電網(wǎng)絡(luò)勢(shì)必需要更多組件、更高頻率做支撐，可望為芯片商帶龐大商機(jī)--特別是對(duì)RF功率半導(dǎo)體供貨商而言。 對(duì)此，市研機(jī)構(gòu)Yole于7月發(fā)布「2017年RF功率市場(chǎng)與科技報(bào)告」指出，RF功率市場(chǎng)近期可望由衰轉(zhuǎn)盛，并以將近二位數(shù)的年復(fù)合成長(zhǎng)率(GAGR)迅速成長(zhǎng);同時(shí)，氮化鎵(GaN)將逐漸取代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)，成為市場(chǎng)主流技術(shù)。