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MOSFET瞬態(tài)脈沖熱阻的測(cè)量及其變化規(guī)律研究
摘要:半導(dǎo)體器件正不斷朝高功率、高電壓、大電流方向發(fā)展,隨之而來(lái)的是高功率帶來(lái)的發(fā)熱和散熱難題。現(xiàn)以MOSFET作為研究對(duì)象,對(duì)瞬態(tài)熱阻進(jìn)行測(cè)量與分析,研究MOSFET瞬態(tài)熱阻在不同柵極電壓下的變化規(guī)律。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,MOSFET瞬態(tài)熱阻隨柵極電壓vGS絕對(duì)值的增大而減小,但對(duì)于不同的器件,熱阻減小的幅度不同。通過(guò)分析得到引起上述現(xiàn)象的原因在于,當(dāng)柵極電壓變化時(shí),溝道和漂移區(qū)的物理尺寸發(fā)生變化,從而對(duì)熱流的擴(kuò)散長(zhǎng)度產(chǎn)生影響,改變了通道的導(dǎo)通電阻分布,并且導(dǎo)電通道內(nèi)的峰值溫度點(diǎn)會(huì)發(fā)生變化。
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MOSFET瞬態(tài)脈沖熱阻的測(cè)量及其變化規(guī)律研究
摘要:半導(dǎo)體器件正不斷朝高功率、高電壓、大電流方向發(fā)展,隨之而來(lái)的是高功率帶來(lái)的發(fā)熱和散熱難題。現(xiàn)以MOSFET作為研究對(duì)象,對(duì)瞬態(tài)熱阻進(jìn)行測(cè)量與分析,研究MOSFET瞬態(tài)熱阻在不同柵極電壓下的變化規(guī)律。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,MOSFET瞬態(tài)熱阻隨柵極電壓vGS絕對(duì)值的增大而減小,但對(duì)于不同的器件,熱阻減小的幅度不同。通過(guò)分析得到引起上述現(xiàn)象的原因在于,當(dāng)柵極電壓變化時(shí),溝道和漂移區(qū)的物理尺寸發(fā)生變化,從而對(duì)熱流的擴(kuò)散長(zhǎng)度產(chǎn)生影響,改變了通道的導(dǎo)通電阻分布,并且導(dǎo)電通道內(nèi)的峰值溫度點(diǎn)會(huì)發(fā)生變化。
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一款62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)的CoolSiC?模塊
在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來(lái)便利，那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的CoolSiC? MOSFET模嗎?
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