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一款62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)的CoolSiC?模塊
在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來(lái)便利，那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的CoolSiC? MOSFET模嗎?
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意法半導(dǎo)體推出緊湊型SO-8W封裝6kV磁隔離高壓柵極驅(qū)動(dòng)器
意法半導(dǎo)體發(fā)布了緊湊的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器STGAP2HS，適用于柵極驅(qū)動(dòng)側(cè)與低壓控制接口電路之間要求6kV電隔離的應(yīng)用場(chǎng)景。
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詳解IGBT系統(tǒng)
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)(控制和響應(yīng))，又有雙極
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Vishay新款柵極電阻具有6.5kW高功率和+400℃工作溫度
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列高功率、大電流柵極電阻---GRE1。Vishay Milwaukee GRE1器件具有6.5kW的高功率和+400℃的工作溫度，以及穩(wěn)健的設(shè)計(jì)，可直接替換競(jìng)爭(zhēng)的解決方案。今天發(fā)布
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柵極電阻與泄放電阻
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用?一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓;二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S;第一個(gè)作用好理解，這里解釋一下第二個(gè)作用的原理——保護(hù)柵極G-源極S：場(chǎng)效應(yīng)管的
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新型SiC功率器件在Boost電路中的應(yīng)用分析
摘要：分析新型SiC功率器件在實(shí)際應(yīng)用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過(guò)理論分析對(duì)SiC MOSFET柵極電阻對(duì)開(kāi)關(guān)特性的影響，以及開(kāi)關(guān)頻率與傳輸效率的關(guān)系進(jìn)行了闡述。同時(shí)，以SiC MOSFET功率器件為核心搭建
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MOS管柵極電阻在工業(yè)電源中的作用
1.是分壓作用 2.下拉電阻是盡快泄放柵極電荷將MOS管盡快截止 3.防止柵極出現(xiàn)浪涌過(guò)壓(柵極上并聯(lián)的穩(wěn)壓管也是防止過(guò)壓產(chǎn)生) 4.全橋柵極電阻也是同樣機(jī)理，盡快泄放柵極電荷，將MOS管盡快截止。避免柵極懸空，懸
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MOS管柵極電阻在工業(yè)電源中的作用
1.是分壓作用2.下拉電阻是盡快泄放柵極電荷將MOS管盡快截止3.防止柵極出現(xiàn)浪涌過(guò)壓(柵極上并聯(lián)的穩(wěn)壓管也是防止過(guò)壓產(chǎn)生)4.全橋柵極電阻也是同樣機(jī)理，盡快泄放柵極電荷，
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淺析柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(on
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功
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柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響分析
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(
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柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響分析
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(
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使用柵極電阻控制IGBT的開(kāi)關(guān)
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓（VG(
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使用柵極電阻控制IGBT的開(kāi)關(guān)
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓（VG(
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應(yīng)用散射技術(shù)測(cè)試復(fù)雜Spacer結(jié)構(gòu)
長(zhǎng)久以來(lái)，散射技術(shù)已充分展示其精準(zhǔn)測(cè)量簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的能力，例如對(duì)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)（STI）和柵極模塊的量測(cè)。但是，IC制造商現(xiàn)在需要監(jiān)測(cè)和控制越來(lái)越復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。Spacer是目前散射技術(shù)正在處理的復(fù)雜結(jié)構(gòu)之一。Spacer會(huì)
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應(yīng)用散射技術(shù)測(cè)試復(fù)雜Spacer結(jié)構(gòu)
長(zhǎng)久以來(lái)，散射技術(shù)已充分展示其精準(zhǔn)測(cè)量簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的能力，例如對(duì)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)（STI）和柵極模塊的量測(cè)。但是，IC制造商現(xiàn)在需要監(jiān)測(cè)和控制越來(lái)越復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。Spacer是目前散射技術(shù)正在處理的復(fù)雜結(jié)構(gòu)之一。Spacer會(huì)
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