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一款62mm器件半橋拓撲設(shè)計的CoolSiC?模塊
在科學技術(shù)高度發(fā)達的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來便利，那么你知道這些高科技可能會含有的CoolSiC? MOSFET模嗎?
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意法半導體推出緊湊型SO-8W封裝6kV磁隔離高壓柵極驅(qū)動器
意法半導體發(fā)布了緊湊的高壓柵極驅(qū)動器STGAP2HS，適用于柵極驅(qū)動側(cè)與低壓控制接口電路之間要求6kV電隔離的應用場景。
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詳解IGBT系統(tǒng)
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點(控制和響應)，又有雙極
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Vishay新款柵極電阻具有6.5kW高功率和+400℃工作溫度
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列高功率、大電流柵極電阻---GRE1。Vishay Milwaukee GRE1器件具有6.5kW的高功率和+400℃的工作溫度，以及穩(wěn)健的設(shè)計，可直接替換競爭的解決方案。今天發(fā)布
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柵極電阻與泄放電阻
柵極與源極之間加一個電阻，這個電阻起到什么作用?一是為場效應管提供偏置電壓;二是起到瀉放電阻的作用：保護柵極G-源極S;第一個作用好理解，這里解釋一下第二個作用的原理——保護柵極G-源極S：場效應管的
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新型SiC功率器件在Boost電路中的應用分析
摘要：分析新型SiC功率器件在實際應用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過理論分析對SiC MOSFET柵極電阻對開關(guān)特性的影響，以及開關(guān)頻率與傳輸效率的關(guān)系進行了闡述。同時，以SiC MOSFET功率器件為核心搭建
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MOS管柵極電阻在工業(yè)電源中的作用
1.是分壓作用 2.下拉電阻是盡快泄放柵極電荷將MOS管盡快截止 3.防止柵極出現(xiàn)浪涌過壓(柵極上并聯(lián)的穩(wěn)壓管也是防止過壓產(chǎn)生) 4.全橋柵極電阻也是同樣機理，盡快泄放柵極電荷，將MOS管盡快截止。避免柵極懸空，懸
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MOS管柵極電阻在工業(yè)電源中的作用
1.是分壓作用2.下拉電阻是盡快泄放柵極電荷將MOS管盡快截止3.防止柵極出現(xiàn)浪涌過壓(柵極上并聯(lián)的穩(wěn)壓管也是防止過壓產(chǎn)生)4.全橋柵極電阻也是同樣機理，盡快泄放柵極電荷，
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淺析柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性的性能影響
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(on
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功
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柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性的性能影響分析
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(
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柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性的性能影響分析
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(
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使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓（VG(
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使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓（VG(
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應用散射技術(shù)測試復雜Spacer結(jié)構(gòu)
長久以來，散射技術(shù)已充分展示其精準測量簡單結(jié)構(gòu)的能力，例如對淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)（STI）和柵極模塊的量測。但是，IC制造商現(xiàn)在需要監(jiān)測和控制越來越復雜的結(jié)構(gòu)。Spacer是目前散射技術(shù)正在處理的復雜結(jié)構(gòu)之一。Spacer會
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應用散射技術(shù)測試復雜Spacer結(jié)構(gòu)
長久以來，散射技術(shù)已充分展示其精準測量簡單結(jié)構(gòu)的能力，例如對淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)（STI）和柵極模塊的量測。但是，IC制造商現(xiàn)在需要監(jiān)測和控制越來越復雜的結(jié)構(gòu)。Spacer是目前散射技術(shù)正在處理的復雜結(jié)構(gòu)之一。Spacer會
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