氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺(tái)設(shè)計(jì)充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢,而E-Mode設(shè)計(jì)卻必須在性能上做出妥協(xié)
近期,氮化鎵概念在資本市場備受關(guān)注,部分個(gè)股曾出現(xiàn)連日漲停。同樣都是氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù),作為國內(nèi)領(lǐng)先的電視品牌廠商,康佳開發(fā)的氮化鎵技術(shù)首先應(yīng)用于光電顯示器件,而國內(nèi)大多數(shù)公司把氮化鎵用于功率器件的氮化鎵晶體管和用于通信電路的氮化鎵射頻放大器??导央娮庸こ處熃榻B,二者同為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品,一個(gè)是二極管,一個(gè)是場效應(yīng)三極管,在制造工藝等方面既有相似性,也各有其特殊性。功率器件強(qiáng)調(diào)的是輸出能力、效率、復(fù)雜環(huán)境下的抗干擾特性等;Micro LED產(chǎn)品最大的不同在于它是發(fā)光器件的微型化,在巨大數(shù)量的情況下,保證其特性的一致性。
GaN技術(shù)卓越的性能和可靠性使其非常適合基礎(chǔ)設(shè)施、國防和航空航天應(yīng)用,如雷達(dá)、通信、 導(dǎo)航以及類似的應(yīng)用。其性能的增強(qiáng)讓設(shè)計(jì)師可以在提升系統(tǒng)性能的同時(shí),靈活地節(jié)省電路板空間和系統(tǒng)成本。