-
GaN 將射頻應用推向新的階段
氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙半導體，可滿足高功率和射頻應用日益增長的需求。GaN 的帶隙是傳統(tǒng)硅的三倍以上，它允許功率器件在比硅更高的溫度和電壓下工作，而不會破壞或降低其性能和可靠性。此外，其極低的導通電阻使 GaN 能夠提供非常高的電流和射頻功率密度，在雷達、功率轉(zhuǎn)換器和功率放大器等高功率射頻系統(tǒng)中得到應用。
-
德州儀器用2000萬小時給出使用氮化鎵（GaN）的理由
在正式發(fā)布之前，TI投入大量人力物力， 累計進行了超過2000萬小時的設備可靠性測試，使得電源設計工程師可以更放心地在各種電源應用中使用氮化鎵。
-
產(chǎn)業(yè)“新發(fā)動機” 第三代半導體發(fā)展迅速
“到2030年，第三代半導體產(chǎn)業(yè)力爭全產(chǎn)業(yè)鏈進入世界先進行業(yè)，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國際引領(lǐng)，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國產(chǎn)化率超過70%?！边@是日前在京舉辦的第三代半導體戰(zhàn)略發(fā)布會上，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲所描述的我國半導體產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展前景。
-
產(chǎn)業(yè)“新發(fā)動機” 第三代半導體發(fā)展迅速
“到2030年，第三代半導體產(chǎn)業(yè)力爭全產(chǎn)業(yè)鏈進入世界先進行業(yè)，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國際引領(lǐng)，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國產(chǎn)化率超過70%?！边@是日前在京舉辦的第三代半導體戰(zhàn)略發(fā)布會上，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲所描述的我國半導體產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展前景。
巧克力娃娃
