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從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結構及性能優(yōu)劣勢對比
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應用研發(fā)帶來了設計挑戰(zhàn)，因而業(yè)界對于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。
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2022年開工第一天，派恩杰半導體在全球首推PD 快充的碳化硅應用方案
隨著第三代半導體的普及，及對功率密度的高需求，第三代半導體在一些高功率應用領域逐漸取代硅功率器件。而在USB PD 快充產品上為了降低了開關損耗并提高開關頻率此前普遍使用氮化鎵功率器件。事實上，不僅氮化鎵可以用在USB PD快充上，新能源汽車熱門功率器件碳化硅MOSFET也很有應用優(yōu)勢。
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
自舉式懸浮驅動電路可以極大的簡化驅動電源的設計，只需要一路電源就可以驅動上下橋臂兩個開關管的驅動，可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著新能源受到全球政府的推動與支持，與新能源相關的半導體芯片需求激増，導致產能緊缺。綠色低碳技術創(chuàng)新應用是實現(xiàn)碳中和目標的重要一環(huán)，碳化硅是應用于綠色低碳領域的共用性技術，SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為了許多廠商的新選擇。不過，SiC MOSFET的驅動與Si MOSFET到底有什么區(qū)別，替代時電路設計如何調整，是工程師非常關心的。我們《SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負壓？》一文中已經分享了負壓自舉的小技巧。本文SiC MOSFET驅動常規(guī)自舉電路的注意事項。
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SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負壓？
現(xiàn)代工業(yè)對電力電子設備提出了很多要求：體積小、重量輕、功率大、發(fā)熱少。面對這些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一籌莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天優(yōu)勢開始大顯神通。SiC MOSFET大規(guī)模商用唯一的缺點就是價格。但隨著良率的提升和采用更大尺寸的晶圓，SiC與Si之間的成本差距正在收窄，在整車系統(tǒng)總體成本反而有明顯的優(yōu)勢。SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為越來越多的廠家的新選擇。
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650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產器件重載時溫度更低
自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市場上CREE、UnitedSiC、羅姆、Infineon都有650V?SiC MOSFET產品。國內廠商派恩杰半導體也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相較于國外廠商，國內廠商的SiC MOSFET產品性能到底如何？派恩杰半導體采用自主設計的Buck-Boost效率測試平臺針對650V 60mΩSiC MOSFET高溫性能進行了對比測試。本文分享測試結果。
