在下述的內(nèi)容中,小編將會對mos管的相關(guān)消息予以報(bào)道,如果mos管是您想要了解的焦點(diǎn)之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
D是漏極,S是源極,G是柵極,中間的箭頭表示襯底,如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管,箭頭向外表示是P溝道的MOS管。
漏極和源極之間沒有電流流過。當(dāng)VGS超過VTH,MOS管進(jìn)入飽和狀態(tài),此時(shí)漏極電流(ID)達(dá)到最大值,并且不隨VDS的變化而變化。
動態(tài)閾值_芯片設(shè)計(jì)進(jìn)階之路——門級優(yōu)化和多閾值電壓
關(guān)于場效應(yīng)管的源極和漏極,你知道它們可以互換使用嗎?我們在做電路設(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別工作性質(zhì):
學(xué)過電路的人都知道柵極,源極,漏極,那么真的能分清柵極,源極,漏極嗎?柵極,源極,漏極,三個(gè)名字是從英文而來的。