隨著在晶體管制造中引入新的寬帶隙材料,例如氮化鎵 (GaN),顯著的品質(zhì)因數(shù)改進(jìn)轉(zhuǎn)化為電源的潛在改進(jìn)。使用比硅基半導(dǎo)體具有更高帶隙的新型材料可以減小芯片尺寸,同時保持相同的阻斷電壓。
開關(guān)電源在全世界范圍內(nèi)被廣泛用于各種設(shè)備的插墻式適配器和內(nèi)部電源。電源設(shè)計工程師長期以來都在設(shè)法降低開關(guān)電源的設(shè)計成本、提高電源效率,并使設(shè)計能滿足最小空間的要