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如何優(yōu)化電路性能和成本之電源散熱？
當(dāng)產(chǎn)品系統(tǒng)的熱量增加時(shí)，系統(tǒng)的功耗就會(huì)成倍的增加，這樣在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)，就會(huì)選擇更加大電流的解決方案，而這樣必定會(huì)帶來(lái)成本上的增加，當(dāng)電流大到一定程度時(shí)，成本就會(huì)成倍成本的增加。
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CMOS集成電路性能特點(diǎn)及注意事項(xiàng)
目前數(shù)字集成電路按導(dǎo)電類型可分為雙極型集成電路（主要為TTL）和單極型集成電路（CMOS、NMOS、PMOS等）。CMOS電路的單門靜態(tài)功耗在毫微瓦（nw）數(shù)量級(jí)。 CMOS集成電路的簡(jiǎn)介 CMOS互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件。是組成CMOS數(shù)字集成電路的基
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放大電路中引入負(fù)反饋的需要哪些原則
通常引入反饋深度越大，對(duì)于電路性能的改善越好，如增益穩(wěn)定性的提高，通頻帶的展寬，非線性失真的減小，輸入電阻的增加和輸出電阻的減小。但是，反饋深度越大，對(duì)電路的增益衰減也越大，所以負(fù)反饋是以犧牲增益為代
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反饋的基本概念和一般表達(dá)式
一、反饋的基本概念反饋是指把放大電路輸出回路中某個(gè)電量（電壓或電流）的一部分或全部，通過(guò)一定的電路形式（反饋網(wǎng)絡(luò)）送回到放大電路的輸入回路，并同輸入信號(hào)一起參與控制作用，以使放大電路某些性能獲得改善的
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負(fù)反饋的基本概念
這一節(jié)主要深刻理解負(fù)反饋的基本概念；掌握識(shí)別負(fù)反饋放大電路類型的方法及它們的特點(diǎn)；了解負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響。１． 負(fù)反饋的基本概念，要求達(dá)到“領(lǐng)會(huì)”層次。２． 負(fù)反饋放大電路的類型，要
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分析影響IGBT驅(qū)動(dòng)電路性能參數(shù)的因素
0 引言 IGBT 即絕緣門極雙極型晶體管( IsolatedGate Bipolar Transistor)， 這是八十年代末九十年代初迅速發(fā)展起來(lái)的一種新型復(fù)合器件。由于它將MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身， 具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性
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