瞬態(tài)雙界面法

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  • MOSFET瞬態(tài)脈沖熱阻的測量及其變化規(guī)律研究

    摘要:半導(dǎo)體器件正不斷朝高功率、高電壓、大電流方向發(fā)展,隨之而來的是高功率帶來的發(fā)熱和散熱難題。現(xiàn)以MOSFET作為研究對象,對瞬態(tài)熱阻進行測量與分析,研究MOSFET瞬態(tài)熱阻在不同柵極電壓下的變化規(guī)律。實驗結(jié)果表明,MOSFET瞬態(tài)熱阻隨柵極電壓vGS絕對值的增大而減小,但對于不同的器件,熱阻減小的幅度不同。通過分析得到引起上述現(xiàn)象的原因在于,當柵極電壓變化時,溝道和漂移區(qū)的物理尺寸發(fā)生變化,從而對熱流的擴散長度產(chǎn)生影響,改變了通道的導(dǎo)通電阻分布,并且導(dǎo)電通道內(nèi)的峰值溫度點會發(fā)生變化。

  • MOSFET瞬態(tài)脈沖熱阻的測量及其變化規(guī)律研究

    摘要:半導(dǎo)體器件正不斷朝高功率、高電壓、大電流方向發(fā)展,隨之而來的是高功率帶來的發(fā)熱和散熱難題。現(xiàn)以MOSFET作為研究對象,對瞬態(tài)熱阻進行測量與分析,研究MOSFET瞬態(tài)熱阻在不同柵極電壓下的變化規(guī)律。實驗結(jié)果表明,MOSFET瞬態(tài)熱阻隨柵極電壓vGS絕對值的增大而減小,但對于不同的器件,熱阻減小的幅度不同。通過分析得到引起上述現(xiàn)象的原因在于,當柵極電壓變化時,溝道和漂移區(qū)的物理尺寸發(fā)生變化,從而對熱流的擴散長度產(chǎn)生影響,改變了通道的導(dǎo)通電阻分布,并且導(dǎo)電通道內(nèi)的峰值溫度點會發(fā)生變化。