硅壓阻式壓力傳感器的零點溫度漂移和靈敏度溫度漂移是影響傳感器性能的主要因素之一,如何能使該類誤差得到有效補償對于提高其性能很有意義。通過對硅壓阻式壓力傳感器建立高階溫度補償模型進行溫度誤差補償是一種有效的方法,并在該模型基礎上給出了擬合系數計算方法,并用Matlab GUI軟件來實現溫度補償系數計算,進而實現傳感器輸出的動態(tài)溫補,達到了很好的輸出線性性。實驗結果表明,補償后傳感器輸出的非線性誤差小于0.5% F.S.
目前的MEMS壓力傳感器有硅壓阻式壓力傳感器和硅電容式壓力傳感器,兩者都是在硅片上生成的微機械電子傳感器。硅壓阻式壓力傳感器是采用高精密半導體電阻應變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測量電路的,具有較高的測量
MEMS主要包括微型機構、微型傳感器、微型執(zhí)行器和相應的處理電路等幾部分,它是在融合多種微細加工技術,并應用現代信息技術的最新成果的基礎上發(fā)展起來的高科技前沿學科。MEMS技術的發(fā)展開辟了一個全新的技術領域和
MEMS主要包括微型機構、微型傳感器、微型執(zhí)行器和相應的處理電路等幾部分,它是在融合多種微細加工技術,并應用現代信息技術的最新成果的基礎上發(fā)展起來的高科技前沿學科。MEMS技術的發(fā)展開辟了一個全新的技術領域和
MEMS(微機電系統(tǒng))是指集微型傳感器、執(zhí)行器以及信號處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機電系統(tǒng)。 MEMS壓力傳感器可以用類似集成電路(IC)設計技術和制造工藝,進行高精度、低成本的大批量生產