碳化硅襯底制造

意法半導(dǎo)體與Soitec合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)

2022年12月8日，中國---- 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計制造公司Soitec (巴黎泛歐證券交易所上市公司) 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計劃，由意法半導(dǎo)體在今后18 個月內(nèi)完成對Soitec碳化硅襯底技術(shù)的產(chǎn)前認(rèn)證測試。此次合作的目標(biāo)是意法半導(dǎo)體采用 Soitec 的 SmartSiC? 技術(shù)制造未來的8寸碳化硅襯底，促進(jìn)公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務(wù)，并在中期實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。