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等離子注入

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40年ALD積淀助力超越摩爾，思銳智能完成第一階段發(fā)展布局

沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導(dǎo)體和超越摩爾領(lǐng)域制造工藝的4大關(guān)鍵技術(shù)。在新晶圓產(chǎn)線的投資建設(shè)中，約80%的投資用于購買設(shè)備，薄膜沉積設(shè)備更是占據(jù)其中約25%的比重。

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2021-06-03

ALD 思銳智等離子注入