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米鰭式場效晶體管制程芯片

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三星10nm工藝保障其半導體地位

三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)2016年將正式進入10納米(nm)時代。借著量產(chǎn)18納米DRAM與10納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程芯片，以擴大技術差距的策略守住半導體領先優(yōu)勢。據(jù)首爾經(jīng)濟報導，三星半導體事業(yè)

電子設計自動化
2016-01-04

10納米三星米鰭式場效晶體管制程芯片

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