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如何用LILO LDO 提高系統(tǒng)效率
LDO即low dropout regulator，是一種低壓差線性穩(wěn)壓器 。這是相對于傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器 來說的。傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器，如78XX系列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓至少高出2V~3V，否則就不能正常工作。但是在一些情況下，這樣的條件顯然是太苛刻了，如5V轉(zhuǎn)3.3V，輸入與輸出之間的壓差只有1.7v，顯然這是不滿足傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器的工作條件的。
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LED的一些失效模式改進(jìn)方法
目前，雖然LED的理論壽命可以達(dá)到50kh，然而在實(shí)際使用中，因?yàn)槭艿椒N種因素的制約，LED往往達(dá)不到這么高的理論壽命，出現(xiàn)了過早失效現(xiàn)象，這大大阻礙了LED作為新型節(jié)能型產(chǎn)品的前進(jìn)步伐。通過對LED主要失效模式的分析，可以從中獲悉改善LED在實(shí)際使用壽命的技術(shù)方法。
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LED可能出現(xiàn)的失效問題
在生活中處處可以見到LED的影子，LED失效模式主要有：芯片失效、封裝失效、熱過應(yīng)力失效、電過應(yīng)力失效以及裝配失效，其中尤以芯片失效和封裝失效最為常見。本文將就這幾種主要失效模式，進(jìn)行詳細(xì)的分析。
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如何實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率——第二部分：高速柵極驅(qū)動(dòng)器
高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低FET的體二極管功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，大多數(shù)類型的FET固有。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示為典型MOSFET電路符號中表示的體二極管。
