全新變壓器在緊湊組件尺寸中實現(xiàn)卓越的隔離和電氣間隙/爬電距離
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的核心器件,以其高電壓、大電流、高頻率等特性,廣泛應用于變頻器、開關(guān)電源、軌道交通、電動汽車及新能源等領(lǐng)域。然而,隨著IGBT向高功率和高集成度方向發(fā)展,其發(fā)熱問題日益突出,對散熱系統(tǒng)的要求也越來越高。
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)是一種重要的功率半導體器件,廣泛應用于電力電子領(lǐng)域。它是雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)和場效應晶體管(Field-Effect Transistor,F(xiàn)ET)的結(jié)合體,具備了兩者的優(yōu)點,同時還有自身獨特的特性。本文將詳細介紹絕緣柵雙極晶體管的工作原理以及它的結(jié)構(gòu)特點。
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)是一種重要的功率半導體器件,廣泛應用于電力電子領(lǐng)域。它不僅綜合了雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)和場效應晶體管(Field-Effect Transistor,F(xiàn)ET)的優(yōu)點,還具備自身獨特的特性。本文將對絕緣柵雙極晶體管進行基本概述,并介紹其在應用上的特點。
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)作為一種關(guān)鍵的功率半導體器件,由多家廠家推出了各種系列產(chǎn)品。本文將介紹幾個知名廠家推出的主要IGBT系列產(chǎn)品,包括其特點和應用領(lǐng)域,為讀者了解IGBT的市場情況和選擇適合的產(chǎn)品提供指導。
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)是一種關(guān)鍵的功率半導體器件,在現(xiàn)代電力電子和驅(qū)動技術(shù)中廣泛應用。本文將介紹IGBT的基本原理、結(jié)構(gòu)組成和工作原理,并探討其在電力變換和控制中的重要作用。
絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點,具有良好的特性,應用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發(fā)射極。
最新的高速絕緣柵雙極晶體管(IGBT)兼具近乎完美的開關(guān)能效和650V的寬額定工作電壓,為應用設(shè)計提供更高的安全系數(shù)意法半導體的新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-G
IGBT的柵極過壓的原因1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓。2.電容密勒效應引起的柵極過壓。 為防止IGBT的柵極-發(fā)射極過壓情況發(fā)生,應在IGBT的柵極與發(fā)射極之間并接一只幾十千
21ic訊 瑞薩電子公司,日前宣布為其第七代具有業(yè)界領(lǐng)先性能的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)陣列增加13款新產(chǎn)品。新的IGBT包括采用650V電壓的RJH/RJP65S系列和采用1250V電壓的RJP1CS系列。新的IGBT作為功率半導體器件,用
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M,適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動器
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M,適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動器
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M,適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動器
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