耗盡模式

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  • CMOS耗盡模式技術具有許多優(yōu)勢，第二部分

    眾所周知，當 V GS 在增強模式下為正時，N 型耗盡型 MOSFET 的行為類似于 N 型增強型 MOSFET;兩者之間的唯一區(qū)別是 V GS = 0V時的漏電流 I DSS量。增強型 MOSFET 在柵極未通電時不應泄漏任何電流，因此當 V GS = 0V 時 I DSS必須 為 0，但當 V GS = 0V 時允許 I DSS電流流過耗盡型 MOSFET 的傳導通道 。