可在低頻至5MHz范圍內(nèi)振蕩的調(diào)頻電路
本圖是由NE555等構(gòu)成的凋頻電路,通過改變NE555自激多諧振蕩器的充電電流即可進(jìn)行頻率調(diào)制。該電路是用VT1和VT2構(gòu)成電流密勒電路的,可在充電電路中產(chǎn)生充電電流,電流大小由R1和RRP1決定。低頻調(diào)制信號(hào)與偏置電流IB
圖是800MHZ調(diào)頻電路。這種電路是采用調(diào)制信號(hào)改變振蕩晶體管的基極偏置從而改變極間電容的方法來改變頻率的,可用收音機(jī)接收該電路發(fā)射的信號(hào),傳送距離在50~1OOm之間。為了得到較大的頻率偏移,C4和C5的容量應(yīng)很小。
電容式話筒調(diào)頻電路
變?nèi)荻O管直接調(diào)頻電路
變?nèi)荻O管調(diào)頻電路
實(shí)現(xiàn)調(diào)頻的方法很多,大致可分為兩類,一類是直接調(diào)頻,另一類是間接調(diào)頻。直接調(diào)頻是用調(diào)制信號(hào)電壓直接去控制自激振蕩器的振蕩頻率(實(shí)質(zhì)上是改變振蕩器的定頻元件),變?nèi)荻O管調(diào)頻便屬于此類。間接調(diào)頻則是利用
晶振穩(wěn)頻的調(diào)頻電路如下圖所示:
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