可在低頻至5MHz范圍內(nèi)振蕩的調(diào)頻電路
本圖是由NE555等構(gòu)成的凋頻電路,通過改變NE555自激多諧振蕩器的充電電流即可進行頻率調(diào)制。該電路是用VT1和VT2構(gòu)成電流密勒電路的,可在充電電路中產(chǎn)生充電電流,電流大小由R1和RRP1決定。低頻調(diào)制信號與偏置電流IB
圖是800MHZ調(diào)頻電路。這種電路是采用調(diào)制信號改變振蕩晶體管的基極偏置從而改變極間電容的方法來改變頻率的,可用收音機接收該電路發(fā)射的信號,傳送距離在50~1OOm之間。為了得到較大的頻率偏移,C4和C5的容量應(yīng)很小。
電容式話筒調(diào)頻電路
變?nèi)荻O管直接調(diào)頻電路
變?nèi)荻O管調(diào)頻電路
實現(xiàn)調(diào)頻的方法很多,大致可分為兩類,一類是直接調(diào)頻,另一類是間接調(diào)頻。直接調(diào)頻是用調(diào)制信號電壓直接去控制自激振蕩器的振蕩頻率(實質(zhì)上是改變振蕩器的定頻元件),變?nèi)荻O管調(diào)頻便屬于此類。間接調(diào)頻則是利用
晶振穩(wěn)頻的調(diào)頻電路如下圖所示:
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